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发明名称 FERROELECTRIC FIELD EFFECT TRANSISTOR HAVING COMPOSITIONALLY GRADED FERROELECTRIC MATERIAL AND METHOD OF MAKING THE SAME
摘要
申请公布号 KR20010071697(A) 申请公布日期 2001.07.31
申请号 KR1020007015071 申请日期 2000.12.29
申请人 发明人
分类号 H01L27/105 主分类号 H01L27/105
代理机构 代理人
主权项
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