SEMICONDUCTOR DEVICE HAVING OXIDE-NITRIDE GATE INSULATING LAYER AND METHOD OF MANUFACTURE THEREOF,申请号KR1020017002134-传众专利搜索

发明名称	SEMICONDUCTOR DEVICE HAVING OXIDE-NITRIDE GATE INSULATING LAYER AND METHOD OF MANUFACTURE THEREOF
摘要
申请公布号	KR20010072788(A)	申请公布日期	2001.07.31
申请号	KR1020017002134	申请日期	2001.02.19
申请人		发明人
分类号	H01L21/336	主分类号	H01L21/336
代理机构		代理人
主权项
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