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发明名称
FABRICATION OF GALLIUM NITRIDE SEMICONDUCTOR LAYERS BY LATERAL GROWTH FROM TRENCH SIDEWALLS
摘要
申请公布号
KR20010071417(A)
申请公布日期
2001.07.28
申请号
KR1020007013796
申请日期
2000.12.05
申请人
发明人
分类号
H01L21/18
主分类号
H01L21/18
代理机构
代理人
主权项
地址
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