| 摘要 |
<p>Die vorliegende Erfindung schafft ein halbleiterbauelement mit einem ersten Hauptanschluss (40); einem zweiten Hauptanschluss (80); einem Steueranschluss (70) zum Steuern des zwischen den Hauptanschlüssen (40, 80) fliessenden Stroms; einer zwischen den ersten Hauptanschluss (40) und den Steueranschluss (70) schaltbaren ersten Diodeneinrichtung (100), welche eine derartige erste Durchbruchspannung aufweist, dass sie den ersten Hauptanschluss (40) mit dem Steueranschluss (70) kurzschliesst und damit das Halbleiterbauelement einschaltet, wenn die über der ersten Diodeneinrichtung (100) abfallende Spannung einen vorbestimmten Wert überschreitet, wobei die erste Diodeneinrichtung (100) mit dem Steueranschluss (70) integriert verbunden ist. Die erste Diodeneinrichtung (100) weist zur Verbindung mit dem ersten Hauptanschluss (40) einen ersten externen Kontaktierungsbereich (120) auf.</p> |
