发明名称 | 直流电机的低电枢反应X型磁路结构 | ||
摘要 | 本发明的直流电机的低电枢反应X型磁路结构为藉由一体结构或组合结构并呈与磁场磁极数相同的X型磁路结构作相邻磁极联结,以构成两极或两极以上磁场磁通环路,在无碍磁场磁路结构条件下,直流电机所产生电枢反应中的交磁磁通回路呈高磁阻状态以抑制交磁磁通进而改善其换向效益。$#! | ||
申请公布号 | CN1068994C | 申请公布日期 | 2001.07.25 |
申请号 | CN96114430.0 | 申请日期 | 1996.11.05 |
申请人 | 杨泰和 | 发明人 | 杨泰和 |
分类号 | H02K23/02 | 主分类号 | H02K23/02 |
代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人 | 王忠忠;董江雄 |
主权项 | 1.一种直流电机的低电枢反应X型磁路结构,藉由一体结构或组合结构并呈与磁场磁极数相同的X型磁路结构作相邻磁极联结,以构成两极或两极以上磁场磁通环路,在无碍磁场磁路结构的条件下,直流电机电枢反应的交磁磁通回路呈高磁阻状态以降低电枢反应,其特征在于,主要构成包含:-由一体结构或组合结构并呈与磁场磁极数相同的X型磁路结构构成磁通环路的直流电机磁路结构,其各X型磁路结构的交叉部分为供设置不同极性的磁极结构,如永久磁极或绕组激磁式的磁极铁芯(101)及激磁绕组(102),上述X型磁路结构各磁极间的磁路结构为基于平均或接近平均的磁场磁通密度的原则而决定其截面积,并呈沿极轴由中间向两端壳方向呈向外逐渐增大面积的磁路结构,以及在磁极间形成向外渐缩通孔(103)或向内凹陷的盲孔(103a)或向外凹陷的盲孔(103b)或双向凹陷的盲孔(103c),而构成X型磁路结构中供通过电枢反应交磁磁通磁路呈高阻抗。 | ||
地址 | 中国台湾 |