制造薄膜晶体管的方法

摘要

一种制造薄膜晶体管的方法包括下述步骤:在衬底的一表面形成一沟道区域;在衬底的该表面沉积一绝缘层,同时覆盖所述沟道区域并构建绝缘层;在该绝缘层上沉积一硅层在硅层上沉积一金属层并蚀该硅和金属层以限定源、漏和门电极区;在与－MOS电路对应的部分掺入正离子;在该金属层上沉积一中间绝缘层,同时覆盖源、漏和门电极区并构建中间绝缘层以及在中间绝缘层上沉积一电极材料并构建该电极材料以限定一像素电极区和一线路区。

主权项

1．一种制造薄膜晶体管的方法，包括下述步骤：在衬底的一个表面形成一个沟道区域；在衬底的该表面沉积一绝缘层，同时覆盖所述的沟道区域并构建绝缘层，以便暴露该沟道区域的一部分；在该绝缘层上沉积一个硅层；在该硅层上沉积一个金属并蚀刻该硅和金属层以限定源、漏和门电极区；在与一个MOS电路部分对应的部分掺入正离子；在该金属层上沉积一个中间绝缘层，同时覆盖源、漏和门电极区并构建中间绝缘层以形成许多接触孔；以及在该中间绝缘层上沉积一电极材料并构建该电极材料以限定一个像素电极区以及一个线路区。