| 发明名称 |
TECHNIQUES FOR FORMING CONTACT HOLES THROUGH TO A SILICON LAYER OF A SUBSTRATE |
| 摘要 |
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| 申请公布号 |
EP1118115(A1) |
申请公布日期 |
2001.07.25 |
| 申请号 |
EP19990942553 |
申请日期 |
1999.08.31 |
| 申请人 |
LAM RESEARCH CORPORATION |
发明人 |
EBEL, TIMOTHY;FECHER, MATHIAS |
| 分类号 |
G02F1/1362;H01L21/302;H01L21/3065;H01L21/311;H01L21/768;(IPC1-7):H01L21/768;G03F7/42 |
主分类号 |
G02F1/1362 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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