半导体器件

摘要

在硅衬底1的p阱2a的表面上形成包括栅电极4a的驱动晶体管T3。为了覆盖该驱动晶体管T3,形成氧化硅膜7和氮化硅膜8。在该氮化硅膜8上形成层间绝缘膜11。至少按与栅电极4a平面重叠那样来配置接触孔12c。由此,可以获得进行期望动作并且可缩小存储器单元区域的半导体器件。

主权项

1．一种半导体器件，包括：在半导体衬底(1)的主表面上形成的第一导电型区域(2a)，在所述半导体衬底(1)的主表面上在由元件隔离膜(3)分隔的所述第一导电型区域(2a)的表面上形成的元件形成区域(20a～20d)，形成在所述元件形成区域(20a～20d)中的预定半导体元件(T1～T6)，形成在所述半导体衬底(1)上以便覆盖所述半导体元件的绝缘膜(11)，和在所述绝缘膜(11)上形成的露出所述元件形成区域(20a～20d)表面的第一接触孔(12c、12g)，其特征在于，所述半导体元件(T1～T6)包括：可横过所述元件形成区域(20a～20d)形成的电极部分(4a～4e)，夹置所述电极部分(4a～4e)且在所述元件形成区域(20a～20d)的一侧和另一侧上形成的有第一杂质浓度的第二导电型的一对第一杂质区域(9a～9d)，和形成在所述第一杂质区域(9a～9d)内的至少一个区域中以便包含所述第一接触孔(12c、12g)的接触部分且有比所述第一杂质浓度高的第二杂质浓度的第二导电型的第二杂质区域(10a～10d)，在所述绝缘膜(11)和所述半导体元件(T1～T6)之间，形成与所述绝缘膜(11)腐蚀特性不同的腐蚀阻止膜(7、8)，以便与所述电极部分(4a～4e)两侧面直接连接，覆盖所述电极部分(4a～4e)，所述第一接触孔(12c、12g)按与所述电极部分(4a～4e)平面重叠那样来配置。