适用于非易失性存储器的隧道晶体管

摘要

提供一种隧道晶体管作为用于具有非易失性存储器的半导体集成电路的小型化的有效装置。一个绝缘层淀积在一个硅基片上。一个源极和一个漏极淀积在该绝缘层上,一个提供隧道阻挡层的厚度为几个纳米的绝缘体插入源极和漏极之间。显示自发极化的一个铁电层直接淀积在源极的与绝缘体相邻的一个区域之上。采用这种结构,当铁电层在一个预定的方向极化时,至少源极的与绝缘体相邻的区域的一部分形成一个损耗区,据此有可能根据铁电层是否被极化而改变以隧道方式通过绝缘体的电流量。

主权项

1．一种隧道晶体管，具有一个源极、一个漏极和一个栅极，包括一个隧道阻挡层，它在源极和漏极之间构成一个隧道阻挡层；和一个铁电层，它显示自发极化，其中当所述铁电层在一个预定的方向极化时，该极化导致在所述源极的与所述隧道阻挡层相邻的一个区域中的一个损耗区。