| 发明名称 |
Trench capacitor with epi buried layer |
| 摘要 |
A trench capacitor with an epitaxial layer in the lower portion of the trench. The epitaxial layer may be doped to serve as a buried plate.
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| 申请公布号 |
US6265741(B1) |
申请公布日期 |
2001.07.24 |
| 申请号 |
US19980056119 |
申请日期 |
1998.04.06 |
| 申请人 |
SIEMENS AKTIENGESELLSCHAFT |
发明人 |
SCHREMS MARTIN |
| 分类号 |
H01L27/04;H01L21/822;H01L21/8242;H01L27/108;H01L29/94;(IPC1-7):H01L27/108;H01L29/76;H01L31/119 |
主分类号 |
H01L27/04 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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