| 主权项 |
1.一种半导体配置用之熔丝,其半导体本体(7)具有二个互相平行而延伸之主表面(17),其特征为:此熔丝(4)是在二个主表面(17)之间的方向中延伸且埋入至此半导体本体(7)之中空区(8)中。2.如申请专利范围第1项之熔丝,其中此熔丝是由掺杂之矽或未掺杂之矽所构成。3.如申请专利范围第2项之熔丝,其中此熔丝(4)之长度是数个微米(m)且其直径大约是0.1m至0.5m。4.如申请专利范围第1,2或3项之熔丝,其中此熔丝在其面向此半导体本体(7)之末端设有一种埋入层(6)且在与此末端相面对之另一末端设有一种金属接触区(5)。5.如申请专利范围第4项之熔丝,其中此金属接触区由钨所构成。6.如申请专利范围第4项之熔丝,其中此金属接触区设有一种导电轨(10)。7.如申请专利范围第5项之熔丝,其中此金属接触区设有一种导电轨(10)。8.如申请专利范围第1项之熔丝,其中该中空区埋入至一种设在半导体本体(7)上之隔离层(9)中。9.如申请专利范围第8项之熔丝,其中该隔离层由二氧化矽所构成。10.一种熔丝之制造方法,此熔丝是申请专利范围第1至9项中任一项所述者,本方法之特征为:-在半导体基板上施加一种可选择地对此基板而被蚀刻之隔离层(11),-须对此隔离层(1)和半导体基板以非等向性方式进行结构化,使残留之隔离层(11)下方仍保留着一种圆柱形之半导体区域(12),-须以等向性方式对此半导体区域(12)进行过(over)蚀刻,使剩下一种较薄之半导体区域(13),-使介电质(9)以非等向性方式施加至半导体基板之上和剩下之隔离层(11)上。图式简单说明:第一图本发明之熔丝之切面图。第二图说明本发明熔丝之制造方法之切面图。第二图至第四图说明本发明熔丝之制造方法之切面图。第五图具有MOS电晶体之熔丝之电路图。第六图现有之平面式熔丝之俯视图。 |
