| 主权项 |
1.一种制造安装于一载具基材上一积体电路装置之方法,该方法包含下列步骤:提供一导件基材具有一可去除层于其表面上,导件基材对消蚀辐射为透明;形成一第一对准导件于可去除层上;形成一第二对准导件于晶片之正面上;经由第二对准导件接触第一对准导件而对准晶片至导件基材;附着晶片至导件基材;附着载具基材至晶片;以及使用消蚀辐射透射通过导件基材而消蚀可去除层与导件基材间之交界面,如此使导件基材脱离。2.如申请专利范围第1项之方法,其中消蚀雷射包含雷射辐射。3.如申请专利范围第1项之方法,其中可去除层包含一第一层接触导件基材及一第二层于第一层上,第一对准导件系形成于第二层上。4.如申请专利范围第1项之方法,其中第一对准导件及第二对准导件系经由图样化聚醯亚胺层形成。5.如申请专利范围第4项之方法,进一步包含于对准步骤前再度活化第一对准导件之表面部分及第二对准导件之表面部分之步骤。6.如申请专利范围第1项之方法,其中该附着载具基材至晶片之步骤进一步包含下列步骤:沉积一第一金属层于载具基材上;沉积一第二金属层于晶片上;提供一第三金属层接触第一金属层且接触第二金属层;以及形成合金介于第一金属层与第三金属层间以及介于第二金属层与第三金属层间,如此黏合载具基材至晶片。7.如申请专利范围第6项之方法,其中形成合金之步骤包含共熔合金化制程。8.如申请专利范围第1项之方法,进一步包含于附着载具基材步骤之前,平面化晶片背面之步骤,其中载具基材系附着至晶片表面。9.如申请专利范围第8项之方法,其中该平面化步骤系使用化学机械抛光进行。10.如申请专利范围第1项之方法,进一步包含于消蚀可去除层与导件基材间之交界面之步骤后,由装置去除第一对准导件及第二对准导件之步骤。11.如申请专利范围第10项之方法,其中该去除步骤系使用化学机械抛光进行。12.如申请专利范围第7项之方法,其中该装置包括复数晶片,以及进一步包含于去除步骤后提供一薄膜于晶片上之步骤,该薄膜含有导体于其中来互连晶片,薄膜系使用硬罩盖图样化。13.一种制造一积体电路装置之方法,该积体电路装置具有复数晶片安装于一载具基材上,该方法包含下列步骤:提供一导件基材带有至少一互连层于其一面上,该导件基材对消蚀辐射为透明;形成一第一对准导件于互连层上用以对准各晶片;形成一第二对准导件于各晶片之一面上;经由对各晶片接触第二对准导件至第一对准导件而对准晶片至导件基材;附着晶片至导件基材;附着载具基材至晶片;以及透射消蚀辐射通过导件基材而消蚀导件基材与互连层间的交界面,藉此使互连层由导件基材脱离。14.如申请专利范围第13项之方法,其中消蚀辐射包含雷射辐射。15.如申请专利范围第13项之方法,其中第一对准导件及第二对准导件系经由图样化聚醯亚胺层形成。16.如申请专利范围第15项之方法,进一步包含于对准步骤前再度活化第一对准导件之表面部分及第二对准导件之表面部分之步骤。17.如申请专利范围第13项之方法,其中该附着载具基材至晶片之步骤进一步包含下列步骤:沉积一第一金属层于载具基材上;沉积一第二金属层于晶片上;提供一第三金属层接触第一金属层且接触第二金属层;以及形成合金介于第一金属层与第三金属层间以及介于第二金属层与第三金属层间,如此黏合载具基材至晶片。18.如申请专利范围第17项之方法,其中形成合金之步骤包含共熔合金化制程。19.如申请专利范围第13项之方法,其中该于各晶片上之第二对准导件具有一导电部形成于其上而作晶片与互连层间的电接触。20.如申请专利范围第13项之方法,进一步包含于附着载具基材步骤之前,平面化晶片背面之步骤,其中载具基材系附着至晶片表面。21.如申请专利范围第20项之方法,其中该平面化步骤系使用化学机械抛光进行。图式简单说明:第一图A、第一图B及第一图C显示根据先前揭示之制造过程之步骤,其中晶片匹配形成于导件晶圆的平台。第二图-第八图显示根据本发明之第一具体实施例之制造方法之各步骤。第九图-第十三图显示根据本发明之第二具体实施例之制造方法之各步骤。 |
