| 主权项 |
1.一种在半导体基片之主表面上形成之改进之场效电晶体(FET),该FET具有n型高掺杂源极及漏极接点,及一微掺杂n型可变电阻通道在位于源极及漏极接点中间之主表面之通道区形成,该FET包括:-高电阻p型离子植入之控制闸极,于该通道中形成并沿该主表面;-高电阻连接,其包含:-p型离子植入接点区,位于该主表面上而远离该p型控制闸极;及-p型离子植入电阻器,耦合该p型控制闸极至该接点区,以耦合一控制电压至该p型控制闸极;其中该基片为砷化镓(GaAs),该通道及p型控制闸极为通道之离子植入区。2.一种电压控制电阻器,具有第一及第二终端耦合后以施加及摘取一RF信号,及一控制终端以接收一控制电压以衰减一RF信号,该电压控制电阻器包括:-GaAs基片,其具有一主表面;形成于该主表面之高度掺杂之n型离子植入之源极及漏极区;在该源极及漏极区形成之电阻接触,以作为第一及第二终端;-轻度掺杂n型通道区于该源极及漏极区之间形成;-p型控制电极,形成该通道区及沿该主表面;-离子植入之p型接触区,形成于远离该通道区;-一离子植入之p型电阻器,以耦合该控制电极及该p型接触区,及-电阻接点,在该p型接触区形成以作为电压控制电阻器之控制终端。图式简单说明:第一图为习知技术之MESFET电压控制电阻器之剖面概略图;第二图为本发明之较佳实施例之剖面概略图;第三图A及第三图B为本发明之较佳实施例之俯视图;第四图为浓度对距离之曲线图;第五图为电压耦合对频率之曲线图。 |
