| 主权项 |
1.一种半导体元件的接合,它包括:a)配置于半导体晶片上的第一导电金属区域,该第一区域有一对分开的部分;b)第二导电金属区域,该第二区域也有一对分开的部分;该第二区域的分开部分耦合到该第一区域不同的部分之一;c)该第一区域与第二区域间配置一层绝缘层;以及d)接合完全密封该第一区域的两分开部分。2.根据申请专利范围第1项的接合,其中该第一区域是上层,该第二区域是下层,该绝缘层配置于该第二区域上,在该处具有通道,每一个该通道从该第一部分的该区域延伸到该第二部分的该区域。3.根据申请专利范围第2项的接合,其中该上层的分开部分之一完全被该上层的另一分开部分包围。4.根据申请专利范围第2项的接合,其中该下层的分开部分之一基本上是U型,该下层的另一分开部分基本上是长方型,且延伸入该U型的开口端。5.根据申请专利范围第3项的接合,其中该下层的分开部分之一基本上是U型,该下层的另一分开部分基本上是长方型,且延伸入该U型的开口端。6.根据申请专利范围第2项的接合,其中该上层的分开部分之一基本上是长方型,且在其中央有一长方型孔,且该上层的其它部分基本上是长方型,且位于该长方型孔中。7.根据申请专利范围第3项的接合,其中该上层的分开部分之一基本上是长方型,且在其中央有一长方型孔,且该上层的其它部分基本上是长方型,且位于该长方型孔中。8.根据申请专利范围第4项的接合,其中该上层的分开部分之一基本上是长方型,且在其中央有一长方型孔,且该上层的其它部分基本上是长方型,且位于该长方型孔中。9.根据申请专利范围第5项的接合,其中该上层的分开部分之一基本上是长方型,且在其中央有一长方型孔,且该上层的其它部分基本上是长方型,且位于该长方型孔中。10.一种制造接合的方法,包括的步骤有:a)提供一基材;b)提供第一区域的导电金属配置于半导体晶片上,该第一区域具有一对分开的部分;c)提供第二导电金属区域,该第二区域也有一对分开的部分;该第二区域的分开部分耦合到该第一区域不同的部分之一;d)提供一绝缘层配置于该第一区域与第二区域间;以及e)成形一接合,完全密封该第一区域的该分开部分。11.根据申请专利范围第10项的方法,其中该第一区域是上层,该第二区域是下层,该绝缘层配置于该第二区域上,且进一步在该绝缘层提供通道,每一个该通道从该第一部分的该区域延伸到该第二部分的该区域。12.根据申请专利范围第11项的方法,其中该上层的分开部分之一完全被该上层的另一分开部分包围。13.根据申请专利范围第11项的方法,其中该下层的分开部分之一基本上是U型,该下层的另一分开部分基本上是长方型,且延伸入该U型的开口端。14.根据申请专利范围第12项的方法,其中该下层的分开部分之一基本上是U型,该下层的另一分开部分基本上是长方型,且延伸入该U型的开口端。15.根据申请专利范围第11项的方法,其中该上层的分开部分之一基本上是长方型,且在其中央有一长方型孔,且该上层的其它部分基本上是长方型,且位于该长方型孔中。16.根据申请专利范围第12项的方法,其中该上层的分开部分之一基本上是长方型,且在其中央有一长方型孔,且该上层的其它部分基本上是长方型,且位于该长方型孔中。17.根据申请专利范围第13项的方法,其中该上层的分开部分之一基本上是长方型,且在其中央有一长方型孔,且该上层的其它部分基本上是长方型,且位于该长方型孔中。18.根据申请专利范围第14项的方法,其中该上层的分开部分之一基本上是长方型,且在其中央有一长方型孔,且该上层的其它部分基本上是长方型,且位于该长方型孔中。图式简单说明:第一图是供在电路上进行测试量测的第一种习知技术电路;第二图是供在电路上进行测试量测的第二种习知技术电路;第三图是按本发明之接垫的正视图;第四图是第三图之接垫的顶视图;第五图是第四图沿5-5线之截面图。 |
