| 主权项 |
1.一种液晶显示装置,其特征为:具备包含复数像素电极之短阵阵列,沿着此等像素电极之行所形成的复数扫描线,沿着此等像素电极之列所形成的复数信号线,及在经由各该对应扫描线选择时,作为将经由对应信号线所供应之驱动电压施加于对应像素电极之交换元件而形成于此等扫描线及信号线之交叉位置近旁之复数薄膜电晶体的第1基板,及包含对向于复数像素电极之对向电极的第2基板,及保持于此等第1基板及第2基板的液晶层;第1基板系包含配置于各该两条邻接扫描间的两个邻接像素电极,及电容结合配置于此等像素电极间之一条信号线而被设定于所定电位的复数遮蔽电极;各遮蔽电极系沿着该信号线形成交互地重叠此等邻接像素之一方及另一方者。2.如申请专利范围第1项所述之液晶显示装置,其中,上述遮蔽电极具有偏离于上述邻接像素电极之一方侧的第1重叠部,及偏离于上述邻接像素电极之另一侧的第2重叠部的非直线形状者。3.如申请专利范围第1项所述之液晶显示装置,其中,上述信号线具有偏离于上述邻接像素电极之一方侧的第1重叠部,及偏离于上述邻接像素电极之另一侧的第2重叠部的非直线形状者。4.如申请专利范围第2项所述之液晶显示装置,其中,上述信号线具有与上述遮蔽电极之第2重叠组合且偏离于上述邻接像素电极之一方侧的第2重叠部,及与上述遮蔽电极之第1重叠部组合且偏离于上述邻接像素电极之另一侧的第2重叠部的非直线形状者。5.如申请专利范围第1项所述之液晶显示装置,其中,上述遮蔽电极系为了构成对上述邻接像素电极之辅助电容设成相等于对向电极之电位者。6.如申请专利范围第5项所述之液晶显示装置,其中,上述遮蔽电极系由与上述邻接扫描线平行地配置之辅助电容线延伸所形成者。7.如申请专利范围第5项所述之液晶显示装置,其中,上述遮蔽电极系在上述邻接像素电极经由上述邻接扫描线之一方被驱动时功能作为辅助电容线而设定于上述对向电极之电位之另一方之扫描线延伸所形成者。8.如申请专利范围第1项所述之液晶显示装置,其中,上述信号线系与上述遮蔽电极一起构成遮光体,上述遮光体系在上述邻接像素电极之一方侧覆盖上述液晶层之液晶缺陷发生领域所形成者。9.如申请专利范围第8项所述之液晶显示装置,其中,上述遮蔽电极具有偏离于上述邻接像素电极之一方侧的第1重叠部,及偏离于上述邻接像素电极之另一侧的第2重叠部的非直线形状,上述遮蔽电极之第1及第2重叠部之长度及宽度互相不同者。10.如申请专利范围第8项所述之液晶显示装置,其中,上述信号线具有偏离于上述邻接像素电极之一方侧的第1重叠部,及偏离于上述邻接像素电极之另一侧的第2重叠部的非直线形状,上述信号线之上述信号之上述第1及第2重叠部之长度及宽度互相不同者。11.如申请专利范围第9项所述之液晶显示装置,其中,上述信号线具有与上述遮蔽电极之第2重叠部组合且偏离于上述邻接像素电极之一方侧的第2重叠部,及与上述遮蔽电极之第1重叠部组合偏离于上述邻接像素电极之另一侧的第2重叠部的非直线形状,上述信号线之上述信号线之上述第1及第2重叠部之长度及宽度互相不同者。12.如申请专利范围第11项所述之液晶显示装置,其中,上述遮光体系介经上述信号线及遮蔽电极之组合呈直线者。13.如申请专利范围第8项所述之液晶显示装置,其中,上述遮蔽电极系在上述邻接像素电极经由上述邻接扫描线之一方被驱动时功能作为辅助电容线而由设定于上述对向电极之电位之另一方之扫描线延伸所形成者。14.一种液晶显示装置,其特征为:具备包含复数像素电极之矩阵阵列,沿着此等像素电极之行所形成的复数扫描线,沿着此等像素电极之列所形成的复数信号线,及在经由各该对应扫描线选择时,作为将经由对应信号线所供应之驱动电压施加于对应像素电极之交换元件而形成于此等扫描线及信号线之交叉位置近旁之复数薄膜电晶体的第1基板,及包含对向于复数像素电极之对向电极的第2基板,及保持于此等第1基板及第2基板间的流晶层;第1基板系包含沿着分别配置于两条之邻接扫描线间及两个邻接像素电极间之一条信号线所形成的复数遮蔽电极,各遮蔽电极系将遮住透过上述邻接像素电极之间隙之泄漏光的遮光体与上述信号线一起构成,上述遮蔽电极系在此等邻接像素电极之一方侧覆盖上述液晶层之液晶缺陷发生领域所形成者。15.如申请专利范围第14项所述之液晶显示装置,其中,上述遮蔽电极系由与上述邻接扫描线平行地配置之辅助电容线延伸所形成者。16.一种液晶显示装置,其特征为:具备包含复数像素电极之矩阵阵列,沿着此等像素电极之行所形成的复数扫描线,沿着此等像素电极之列所形成的复数信号线,及在经由各该对应扫描线选择时,作为将经由对应信号线所供应之驱动电压施加于对应像素电极之交换元件而形成于此等扫描线及信号线之交叉位置近旁之复数薄膜电晶体的第1基板,及包含对向于复数像素电极之第2电极的对向基板,及保持于此等第1基板及第2基板间的液晶层;第1基板系包含沿着分别置于两条之邻接扫描线间及两个邻接像素电极间之一条信号线所形成的复数一对第1及第2遮蔽电极,各一对第1及第2遮蔽电极系将遮住透过上述邻接像素电极之间隙之泄漏光的遮光体与上述信号线一起构成,上述第1遮蔽电极线系在上述邻接像素电极之一方侧覆盖上述液晶层之液晶缺陷发生领域所形成,上述第2遮蔽电极系形成于上述邻接像素电极之另侧而设成与第1遮蔽电极不同之宽度及长度者。17.如申请专利范围第16项所述之液晶显示装置,其中,上述第1及第2遮蔽电极系由与上述邻接扫描线平行地配置之辅助电容线延伸所形成者。图式简单说明:第一图系表示组装于以往之主动矩阵液晶显示装置之阵列基板之像素配线构造的局部性平面图。第二图系表示于沿着图示于第一图之II–II线所展开之阵列基板的剖面图。第三图系表示组装于本发明之一实施例之主动矩阵液晶显示装置之阵列基板之像素配线构造的局部性平面图。第四图系表示于沿着图示于第三图之IV–IV线之阵列基板的剖面面。第五图系表示于沿着图示于第三图之V–V线所展开之液晶显示装置的剖面图。第六图系表示图式于第三图之像素配线构造之第1变形例的平面图。第七图系表示图式于第三图之像素配线构造之第2变形例的平面图。第八图系表示图式于第三图之像素配线构造之第3变形例的平面图。第九图系表示图式于第三图之像素配线构造之第4变形例的平面图。第十图系表示组装于本发明之一实施例之主动矩阵液晶显示装置之阵列基板之像素配线构造的局部性平面图。第十一图系表示沿着图示于第十图之XI–XI线之阵列基板的剖面图。第十二图系表示沿着图示于第十图之XII–XII线所展开之液晶显示装置的剖面图。第十三图系表示图示于第十图之像素配线构造之第1变形例的平面图。第十四图系表示图示于第十图之像素配线构造之第2变形例的平面图。第十五图系表示图示于第十图之像素配线构造之第3变形例的平面图。第十六图系表示图示于第十图之像素配线构造之第4变形例的平面图。第十七图系沿着图示于第十六图之XVII–XVII线所展开之阵列基板的剖面图。 |
