| 主权项 |
1.一种用来制造积体电路(10)内之固体材料薄膜(14)的方法,包括:提供一个具有第一基板表面(4)和第二基板表面(6)的基板(8),该第一基板表面(4)至少具有一种物理性质是和该第二基板表面(6)的对应物理性质不相同的;利用一种液体沈积方法将一种先质液体加到该基板(8)上以便在该基板(8)上形成一个覆被(11,13);以及对该基板(8)上的覆被(11,13)进行处理;这种方法的特征是包含了下列步骤:选出一种先质液体以及一种先质液体沈积方法以便利用该先质液体沈积方法将该先质液体加到该第一基板表面(4)和第二基板表面(6)上,以致在对液体先质进行处理之后会在该第一基板表面(4)上形成一个固体薄膜但是在对液体先质进行处理之后将不会在该第二基板表面(6)上形成一个固体薄膜。2.一种用来制造积体电路(10)内之固体材料薄膜(14)的方法,该方法包括的步骤有:于单一基板(8)上提供第一基板表面(4)和第二基板表面(6);利用一种先质液体沈积方法将先质液体加到该基板(8)上而在该基板(8)上形成一个覆被(11,13);这种方法的特征是包含了下列步骤:提供第一基板表面的该步骤包括提供了一个基板表面(4)而这个表面上会在将一种先质液体加到该第一基板表面(4)上并对该先质液体进行处理时倾向于形成一个固体材料薄膜,以及提供第二基板表面的该步骤包括提供了一个基板表面(6)而这个表面上会在将一种先质液体加到该第二个基板表面(6)上并对该先质液体进行处理时倾向于不形成一个固体材料薄膜。3.一种用于制造积体电路(10)内之固体材料薄膜(14)的方法,该方法包括的步骤有:于单一基板(8)上提供第一基板表面(4)和第二基板表面(6);利用一种先质液体沈积方法将先质液体加到该基板(8)上而在该基板(8)上形成一个覆被(11,13);这种方法的特征是包含了下列步骤:提供第一基板表面的该步骤包括提供了一个具有潮湿部分的基板表面(4),以及提供第二基板表面的该步骤包括提供了一个具有非潮湿部分的基板表面(6),且该施加步骤包括施加一种液体先质使得该液体覆被具有适合弄湿该第一基板表面(4)且不适合弄湿该第二基板表面(6)的表面张力。4.如申请专利范围第1.2或3项之方法,其特征是一个清洁该基板(8)的步骤会在不致从该第一基板表面(4)上去除该固体材料薄膜(14)下从该第二基板表面(6)上去除残留物。5.如申请专利范围第4项之方法,其特征是清洁该基板(8)的步骤会包括对该基板(8)进行冲洗的程序。6.如申请专利范围第1.2或3项之方法,其特征是该先质液体包括一种选自一组包括六甲二氮烷和二氧杂环己烷的溶剂。7.如申请专利范围第1.2或3项之方法,其特征是该先质沈积方法包括一种选自一组包括旋转覆被法以及含雾沈积法的方法。8.如申请专利范围第7项之方法,其特征是该先质沈积方法包括一种含雾沈积法而这种沈积法包含一个利用用于烟雾液滴之液滴尺寸范围使得液滴与该第一基板表面(4)的黏着会比与该第二基板表面(6)的黏着更迅速。9.如申请专利范围第7项之方法,其特征是该先质沈积方法包括一种含雾沈积法会利用沈积速率使得该固体材料薄膜(14)将会形成于该第一基板表面(4)上而不会形成于该第二基板表面(6)上。10.如申请专利范围第1.2或3项之方法,其特征是该第一基板表面(4)包括了一种导电材料而该第二基板表面(6)则为一种绝缘材料。11.如申请专利范围第10项之方法,其特征是该导电材料是选自一组包括铂、铱、钌、钯、钨、钛钨合金、金属矽化物、氮化钽、氮化铝钽、和氮化钛等的材料。12.如申请专利范围第10项之方法,其特征是该绝缘材料是选自一组包括氧化矽、氮化矽、氮氧化矽、和氟氧化矽等的材料。13.如申请专利范围第1.2或3项之方法,其特征是该第一基板表面(4)包括了一种具有抗张应力的材料而该第二基板表面(6)包括一种具有压缩应力的材料。14.如申请专利范围第1.2或3项之方法,其特征是该处理步骤包括一种选自一组包括曝露在真空下、曝露在UV辐射、电气极点作用、乾燥、加热、烘烤、快速热处理、和退火等的方法。15.一种用于制造积体电路内之固体材料薄膜的先质,其特征是该第一基板表面能够在对该先质液体进行处理时于在第一基板表面上形成一个固体薄膜,而该第二基板表面能够在对该先质液体进行处理时不于第二基板表面上形成一个固体薄膜。16.一种用于制造积体电路内之固体材料薄膜的先质,其特征是该先质液体能弄湿一个第一基板表面(4)而不能弄湿一个与该第一基板表面(4)不同的第二基板表面(6)。17.如申请专利范围第15或16项之先质,其特征是该先质液体包括一种金属化合物。18.如申请专利范围第17项之先质,其特征是该金属化合物包括一种选自一组包括金属-2-乙基己醇盐和金属-2-甲氧基乙醇盐等的金属化合物。19.如申请专利范围第15或16项之先质,其特征是该溶剂是一种选自一组包括乙醇、等芳香烃化合物类、和酯类等的溶剂。20.如申请专利范围第19项之先质,其特征是该溶剂是一种选自一组包括二甲苯、2-甲氧基乙醇、乙酸正丁酯、1,4,二氧杂环己烷、甲醇、和甲乙酮等的溶剂。21.如申请专利范围第19项之先质,其特征是该先质液体包括一种选自一组包括六甲基二氮烷和二氧杂环己烷等的溶剂。22.一种部分完成之积体电路基板,其特征是该基板(8)具有一个露出表面,该露出表面具有第一基板表面(4)和第二基板表面(6),该第一基板表面(4)是一种会在将先质液体加到该第一基板表面(4)上并对该先质液体进行处理时倾向于在其上形成一个固体材料薄膜(14)的表面,而该第二基板表面(6)是一种会在将先质液体加到该第二基板表面(6)上并对该先质液体进行处理时倾向于不在其上形成一个固体材料薄膜的表面。23.一种部分完成之积体电路基板,其特征是该基板(8)具有一个露出表面,该露出表面具有第一基板表面(4)和第二基板表面(6),该第一基板表面(4)是一种能被一种预定先质液体弄湿的表面,而该第二基板表面(6)是一种不能被该预定先质液体弄湿的表面。24.一种积体电路,包括:一个第一层(2),其中包括一种具有第一表面(17)的第一材料;一个第二层(3),其中包括一种具有第二表面(4)的第二材料;一个第三层(14),其中包括一种形成于第二层(3)上方的第三材料;该第一、第二、和第三层系在一个接面区域(40)会合;以及该第一表面含有一个与接面区域某一侧相邻且位于其上的第一部分(41)以及一个与接面区域(40)远离第一部分之另一侧相邻且位于其上的第二部分(42),其特征是该第一表面(17)的该第一和第二部分(41,42)是互为等高的。25.如申请专利范围第24项之积体电路,其特征是该第三层(14)是直接形成于该第二层(3)上的。图式简单说明:第一图描绘的是用来制造积体电路上包括一个已于其上对层3施行沈积、图形制作、和蚀刻之层2之区段的中间阶段,且其中基板包含了层2和层3的露出部分;第二图描绘的是用来制造如第一图所示区段的另一个中间阶段,其中将用于想要固体材料薄膜之液体先质的液体雾滴加到基板上且选择性地弄湿该基板;第三图描绘的是用来制造如第二图所示区段的另一个中间阶段,其中用于想要固体材料薄膜之液体先质已选择性地弄湿了该基板;第四图描绘的是本发明的一种替代实施例,其中显示了用来制造如第一图所示区段的另一个中间阶段;第五图描绘的是如第四图所示区段的另一个中间制造阶段;第六图描绘的是用来制造如第二图和第三图所示区段或是如第四图和第五图所示区段的另一个中间阶段,其中用来覆盖住基板上选出部分的固体材料薄膜是藉由处理如第三图或第五图所示之液体覆被而形成的;第七图描绘的是利用习知设计中习用之方法制造某一积体电路区段的一个中间阶段,其中固体材料薄膜18会完全覆盖住底下的基板;第八图描绘的是用来制造如第七图所示已利用习知设计中习用方法制作成图形之积体电路区段的另一个中间阶段;第九图描绘的是用来显示以根据本发明的方法制造而成之解释用动态随机存取记忆体( 「DRAM」 )或非挥发性铁电随机存取记忆体( 「FeRAM」 )的截面图示;第十图描绘的是用来显示用于制造根据本发明固体材料薄膜之一般化含雾沈积装置的方块图;以及第十一图描绘的是用来显示用于制造根据本发明固体材料薄膜之一般化方法的流程图。 |
