| 主权项 |
1.一种制作自行聚合矽量子点之方法,包括下列步骤:(I)提供一基板,并于该基板上形成一量子井矽薄膜;以及(II)控制准分子雷射之强度以及雷射脉冲之数目,照射于该量子井矽薄膜上,形成复数个矽量子点。2.如申请专利范围第1项所述的制作自行聚合矽量子点之方法,其中该基板可以是玻璃基板、绝缘基板或半导体基板。3.如申请专利范围第2项所述的制作自行聚合矽量子点之方法,其中更包括:利用化学气相沉积装置(CVD)于该基板上形成一非晶矽薄膜。4.如申请专利范围第3项所述的制作自行聚合矽量子点之方法,其中更包括:利用扫描装置将大面积的非晶矽薄膜经由准分子雷射退火形成大面积的矽量子点。5.如申请专利范围第4项所述的制作自行聚合矽量子点之方法,其中非晶矽薄膜厚度控制于50nm以下。6.如申请专利范围第5项所述的制作自行聚合矽量子点之方法,其中当非晶矽薄膜厚度约为1-50nm时,雷射光强度控制于100-500mJ/cm2以及雷射脉冲数目控制于1-200发。7.如申请专利范围第5项所述的制作自行聚合矽量子点之方法,其中当非晶矽薄膜厚度小于1.5nm时,雷射光强度控制于220-300mJ/cm2以及雷射脉冲数目控制于1-10发。8.如申请专利范围第3项所述的制作自行聚合矽量子点之方法,其中该化学气相沉积装置可以是电浆化学气相沉积装置或是低压化学气相沉积装置。9.如申请专利范围第8项所述的制作自行聚合矽量子点之方法,其中更包括:利用该电浆化学气相沉积装置形成一非晶矽氢薄膜,接着经由高温退火驱逐该非晶矽氢薄膜内的氢原子形成一非晶矽薄膜。10.如申请专利范围第8项所述的制作自行聚合矽量子点之方法,其中更包括:利用该低压化学气相沉积装置直接形成一非晶矽薄膜。图式简单说明:第一图A至第一图D系显示习知制作量子点结构之方法的剖面图。第二图A至第二图D显示本发明制作自行聚合矽量子点之方法的剖面图。第三图显示经由准分子雷射退火的非晶矽表面之扫描式电子显微镜照片。第四图显示经由准分子雷射退火的非晶矽表面之扫描式电子显微镜照片。第五图显示经由准分子雷射退火的非晶矽表面之扫描式电子显微镜照片。第六图显示自行聚合量子点之低温光激放光频谱图。 |
