| 主权项 |
1.一种内金属介电层之制造方法,应用于多重金属内连线,包括下列步骤:提供一基底已形成有复数条金属导线;于基底上形成一第一衬层;于第一衬层上形成一介电层;于介电层上形成一第二衬层;于第二衬层上形成一盖层;以及在盖层上进行一平坦化制程,直到第二衬层被暴露。2.如申请专利范围第1项所述之内金属介电层之制造方法,其中形成该第一衬层及该第二衬层之步骤包括以高密度电浆化学气相沈积法实施之。3.如申请专利范围第2项所述之内金属介电层之制造方法,其中形成该第一衬层之材质包括一氟化矽玻璃层。4.如申请专利范围第2项所述之内金属介电层之制造方法,其中形成该第二衬层之材质包括一氟化矽玻璃层。5.如申请专利范围第3项所述之内金属介电层之制造方法,其中该第一衬层之氟含量约4-7%氟原子。6.如申请专利范围第3项所述之内金属介电层之制造方法,其中该第一衬层之厚度约在500-1500埃之间。7.如申请专利范围第4项所述之内金属介电层之制造方法,其中该第二衬层之氟含量约4-7%氟原子。8.如申请专利范围第4项所述之内金属介电层之制造方法,其中该第二衬层之厚度约在500-1500埃之间。9.如申请专利范围第1项所述之内金属介电层之制造方法,其中形成该介电层之材质包括一加偏压且以氦气冷却的氟化矽玻璃层。10.如申请专利范围第1项所述之内金属介电层之制造方法,其中于盖层上进行之该平坦化制程之步骤包括以化学机械研磨制程实施之。11.一种内金属介电层之制造方法,包括下列步骤:提供一基底已形成有金属导线区域,包括一较为致密的金属导线区域,以及一较为宽松的金属导线区域;于基底上形成一第一氟化矽玻璃层;于第一氟化矽玻璃层上形成一第二氟化矽玻璃层;于第二氟化矽玻璃层上形成一第三氟化矽玻璃层;以及于第三氟化矽玻璃层上形成一表面平坦之氧化盖层,其暴露出第三氟化矽玻璃层之表面。12.如申请专利范围第11项所述之内金属介电层之制造方法,其中形成该第一氟化矽玻璃层,该第二氟化矽玻璃层及该第三氟化矽玻璃层之步骤包括以高密度电浆化学气相沈积法实施之。13.如申请专利范围第12项所述之内金属介电层之制造方法,其中该第一氟化矽玻璃层之氟含量约4-7%氟原子。14.如申请专利范围第12项所述之内金属介电层之制造方法,其中该第一氟化矽玻璃层之厚度约在500-1500埃之间。15.如申请专利范围第12项所述之内金属介电层之制造方法,其中该第三氟化矽玻璃层之氟含量约4-7%氟原子。16.如申请专利范围第12项所述之内金属介电层之制造方法,其中该第三氟化矽玻璃层之厚度约在500-1500埃之间。17.一种内金属介电层之制造方法,包括下列步骤:提供一基底已形成有金属导线区域;于基底上形成一第一氟化矽玻璃层;于第一氟化矽玻璃层上形成一第二氟化矽玻璃层;于第二氟化矽玻璃层上形成一第三氟化矽玻璃层;以及其中第二氟化矽玻璃层之含氟量高于第一氟化矽玻璃层及第三氟化矽玻璃层之含氟量,而第一氟化矽玻璃层,第二氟化矽玻璃层及第三氟化矽玻璃层组成一介电层。18.如申请专利范围第17项所述之内金属介电层之制造方法,其中形成该第一氟化矽玻璃层,该第二氟化矽玻璃层及该第三氟化矽玻璃层之步骤包括以高密度电浆化学气相沈积法实施之。19.如申请专利范围第17项所述之内金属介电层之制造方法,其中该第一氟化矽玻璃层之厚度约在500-1500埃之间。20.如申请专利范围第17项所述之内金属介电层之制造方法,其中该第三氟化矽玻璃层之厚度约在500-1500埃之间。图式简单说明:第一图A及第一图B是根据习知所绘示之一种内金属介电层的制造流程方法之剖面示意图。第二图A至第二图C是根据本发明之较佳实施例所绘示之一种内金属介电层的制造流程方法之剖面示意图。第三图是氟化矽玻璃之氟含量与其介电常数之对应关系图。 |
