| 主权项 |
1.一种由矽基板开始而制造具有一电容器部分(包含铂族金属以及一铁电膜)的半导体装置之方法,该方法包含使用一种由用于金属移除的化学溶液与极少量的氢氟酸及一钳合剂所组成的洁净溶液,而将黏着于(1)被形成而与电极的铂族金属接触之矽基板绝缘膜及(2)该矽基板背面的铂族金属衍生污染物洁净并移除的洁净步骤。2.如申请专利范围第1项之制造半导体装置之方法,其中该洁净步骤系于电容器部分(包含铂族金属下电极层、一铁电膜及一铂族金属上层)形成及后续的矽基绝缘膜(当电容器部分以外的元件部分被形成时,作为电容器部分的遮单层)形成后进行。3.如申请专和范围第1项之制造半导体装置之方法,其中该洁净步骤系于覆盖电容器部分的矽基中间层绝缘膜形成后进行。4.如申请专利范围第3项之制造半导体装置之方法,其中该洁净步骤系于一接触孔(用于形成连接至电容器部分的导线电极)形成于矽基中间层绝缘膜中后进行。5.如申请专利范围第1项之制造半导体装置之方法,其中该用于金属移除的化学溶液包含氟氯酸及过氧化氢。6.如申请专利范围第5项之制造半导体装置之方法,其中该用于金属移除之化学溶液中的氢氯酸浓度为1至10重量%。7.如申请专利范围第1项之制造半导体装置之方法,其中该用于金属移除的化学溶液包含硫酸及过氧化氢。8.如申请专利范围第1项之制造半导体装置之方法,其中该洁净溶液在室温低于洁净溶液沸点的温度范围中被使用。9.如申请专利范围第1项之制造半导体装置之方法,其中该钳合剂为二元羧酸。10.如申请专利范围第1项之制造半导体装置之方法,其中在形成铂族金属层之前,一薄的氧化膜层形成于该矽基板背面。11.如申请专利范围第1项之制造半导体装置之方法,其中仅基板背面允许与洁净溶液接触。图式简单说明:第一图系为表示当本发明或传统技术的洁净溶液被使用时之残留铂污染物的图式。第二图(a)至第二图(g)系为表示根据本发明之一种用于制造半导体装置之方法的一实施例之步骤的横剖面图。第三图系为表示以本发明或传统方法所制造之一半导体记忆体装置之实施例的示意横剖面图,该装置具有经组合之一MOS电晶体及一电容器部分(包含铂族金属电极及一铁电膜),且其可藉由电荷累积而进行资料储存。第四图(a)至第四图(i)系为表示一种用于制造半导体装置之传统方法的一实施例之步骤的横剖面图。 |
