| 摘要 |
课题:提供一种光吸收性聚合物,对特定光的吸收强,可溶于抗蚀剂溶剂,膜形成时对基板的粘着性强,可形成薄而均匀之膜,并提供一种高性能反射防止膜,采用含此聚合物的成膜组成物,对积体电路制造时的驻波无影响。构成:光吸收性聚合物系由至少含有在主链的二羧酸基等介以甲撑基或烷撑基,利用甲酯键结合,有机发色团而得重复单元之共聚物所构成,此共聚物可再利用具有反应性胺基的芳族化合物,加以醯胺化和/或醯亚胺化。此等共聚物可溶于与抗蚀剂溶剂相同的溶剂,必须时为提高特性,还可与具有反应性胺基的芳族化合物共同溶解,在基板上涂布后加以烘焙,即可形成不溶于抗蚀剂溶液之反射防止膜。选择图:无 |
| 主权项 |
1.一种光吸收性聚合物,至少具有至少5莫耳%之下式(1)所示重复单元和下式(2)所示重复单元,可吸收180-450nm波长光:(式(1)中R1和R2为氢原子,X为甲撑基或至少含二个碳原子之直链,支链或环状C1-6烷撑基,Ar为具有180-450nm波长吸收性之芳环,必要时经氧、氮或硫原子连结于X之被取代或未被取代之苯环、环、环或-内酯,n为0或1以上的整数),(式(2)中R3和R4彼此相同或不同,为氢原子或羧基,Y表示氢原子,被取代或未被取代甲氧基,被取代羰基,被取代或未被取代氧化羰基,被取代或未被取代苯基),且相对于式(1)之重复单元100莫耳,该芳环具有之重复单元之分子量比为5-80莫耳%,其中该光吸收性聚合物系使至少具有至少5莫耳%之下式(3)所示重复单元或下式(3')所示重复单元以及下式(2)所示重复单元之共聚物,以下式(4)所示吸收特定波长光之化合物加以反应所得:(式(3)和式(3')中R1,R2为氢原子,n为0或1以上之整数),(式(2)中R3和R4可彼此相同或不同,为氢原子或羧基,Y为氢原子,被取代或未被取代甲氧基,被取代羰基,被取代或未被取代氧化羰基,被取代或未被取代苯基),Ar-X-OH (4)(式(4)中X为甲撑基或含至少2个碳原子的直链、支链或环状C1-3烷撑基,Ar为具有180-450nm波长吸收性之芳环基,必要时经氧、氮,硫原子连结于X之被取代或未被取代苯环,环、环、-内酯),且相对于式(3)+(3')之重复单元,该芳基具有之重复单元之分子量比为5-80莫耳%,其中式(4)所示特定波长光吸收性化合物,系下式(5)所示化合物:(式(5)中X为甲撑基或含至少二个碳原子之直链、支链或环状C1-2烷撑基,Z为氧原子、氮原子或硫原子,当Z为氮原子存在时,R5为氢原子、C1-2烷基,R6为氢原子、卤烷基,被取代或未被取代氧化羧基,m为0或1至4的整数;该光吸收性聚合物之特征系下式(6)所示化合物:(式(6)中X为甲撑基或乙撑基,p为0或1至7的整数,R7为氢原子或苯环)。2.如申请专利范围第1项之光吸收性聚合物,其中共聚物包含马来酐甲基乙烯醚共聚物者。3.一种光吸收性聚合物,系于如申请专利范围第1项之光吸收性聚合物主链结合羟酸基和/或酐基,再以含有下式(7)所示反应性胺基之化合物加以醯胺化和/或醯亚胺化,Ar2-X1-NH2 (7)(式(7)中Ar2表示视需要经氧原子、氮原子或硫原子连结于X1之被取代或未被取代苯环或内酯,X1为直接链结或乙撑基)。4.如申请专利范围第3项之光吸收性聚合物,其中具有反应性胺基之化合物,系下式(8)所示化合物:(式(8)中R8为氢原子,羟基,胺基,硝基,或磺酸基,h为1至4之整数)。5.如申请专利范围第1项之光吸收性聚合物,可用于成膜组成物。6.如申请专利范围第5项之光吸收性聚合物,其中该成膜组成物又含有申请专利范围第3项之式(7)所示具反应性胺基之化合物者。7.如申请专利范围第5项之光吸收性聚合物,可用于反射防止膜。图式简单说明:第一图为使用本发明感膜组成物和公知反射防止膜形成溶液所形成反射防止膜之被覆性比较图。 |
