具外露晶片座之半导体封装件

摘要

一种具外露晶片座之半导体封装件，系包括一晶片;一具有晶片座与导脚之导线架，该晶片座并具有一上表面及一与之相对之下表面，以供该晶片黏置于晶片座之上表面上，且以电性连接元件电性连接该晶片与导脚;以及一用以包覆该晶片、电性连接元件与导线架之一部分之封装胶体;其中，该导线架之晶片座的下表面系外露出该封装胶体，使晶片产生之热量得直接由该晶片座逸散至大气，且该晶片座下表面之周缘系形成有凹部，以在模压时，该凹部会形成为晶片座与封装模具之模穴内表面间之一狭窄流道，使流入该凹部内之封装树脂模流因吸收模具热量之速度变快而增大黏度，从而令模流之流速减后，故得避免封装树脂模流溢胶于外露出封装胶体之晶片座的下表面上，而确保封装成品之品质。

主权项

1.一种具外露晶片座之半导体封装件,系包括:一导线架,其由晶片座与多数导脚所构成,其中,该晶片座具有底面与相对之顶面,使该底面之周缘形成有连续之凹部;一晶片,其系黏置于该晶片座之顶面上并与该导脚形成电性连接关系,以及一封装胶体,用以包覆该晶片与部份之导线架,且其包覆方式系至少使该晶片之底面外露出该封装胶体。2.如申请专利范围第1项之半导体封装件,其中,该凹部为单阶状者。3.如申请专利范围第1项之半导体封装件,其中,该凹部为多阶状者。4.如申请专利范围第1项之半导体封装件,其中,该晶片座与该导脚系形成有高度差(Downset)。5.如申请专利范围第1项之半导体封装件,其中,该导脚复可使其底面外露出该封装胶体。6.如申请专利范围第5项之半导体封装件,其中,该导脚之底面周缘系形成有运续之凹部。7.如申请专利范围第1.2或3项之半导体封装件,其中,该凹部之长度宜介于0.4至1.2mm间,而深度则介于0.05至0.12mm间。图式简单说明:第一图系本发明第一实施例半导体封装件之剖面示意图。第二图系本发明第一实施例之导线架黏接有晶片后置于模具内进行模压之动作示意图。第三图系本发明第二实施例半导体封装件之剖面示意图。第四图系本发明第三实施例半导体封装件之剖面示意图。第五图系习知半导体封装件之剖面示意图。