| 主权项 |
1.一种用于在积体电路装置制造中制造矽化物特征的方法,包含有:沈积一金属层于一矽半导体基板表面上;将该金属层与一经加热的金属尖点阵列接触,在该金属尖点与该金属层接触之处,该金属层将变态为金属矽化物,且其中未与金属尖点接触金属层并未发生反应;以及移除该未经反应的金属层,而留下如该积体电路装置制造中之该金属矽化物特征的该金属矽化物。2.如申请专利范围第1项之方法,其中该金属层包含钴、铂、钛、钽及镍组成的族群之一,并具有约50至200埃间的厚度。3.如申请专利范围第1项之方法,其中该金属尖点包含铂、钽及钛组成的族群之一。4.如申请专利范围第1项之方法,其中该金属尖点包含一高温金属。5.如申请专利范围第1项之方法,其中该金属尖点包含一金属氮化物。6.如申请专利范围第1项之方法,其中该金属尖点被加热达约500至1200℃间的温度。7.如申请专利范围第1项之方法,其中该金属矽化物特征具有小于0.1微米的间隔宽度。8.一种用于在积体电路装置制造中制造金属矽化物特征的方法,包含有:旋涂一乙酸金属层于一矽半导体基板表面上;将该乙酸金属层与一经加热的金属尖点阵列接触,该乙酸金属层在金属尖点接触该乙酸金属层之处将变态为金属矽化物,且其中乙酸金属层未与金属尖点接触之处的乙酸金属层并未发生反应;以及移除该未反应的乙酸金属层,而留下如该积体电路装置制造中之该金属矽化物特征的该金属矽化物。9.如申请专利范围第8项之方法,其中该乙酸金属层包含乙酸钴,并具有约500至2000埃间的厚度。10.如申请专利范围第8项之方法,其中该乙酸金属层包含乙酸钴、乙酸镍、乙酸铂、乙酸钽及乙酸钯组成的族群之一,并具有约500至2000埃间的厚度。11.如申请专利范围第8项之方法,其中该金属尖点包含铂、钽及钛组成的族群之一。12.如申请专利范围第8项之方法,其中该金属尖点包含一高温金属。13.如申请专利范围第8项之方法,其中该金属尖点包含一金属氮化物。14.如申请专利范围第8项之方法,其中该金属尖点被加热达约500至1200℃间的温度。15.如申请专利范围第8项之方法,其中该金属矽化物特征具有小于0.1微米的间隔宽度。16.如申请专利范围第8项之方法,更包含在约10-5至10-7拖耳间之高真空的氢气或氮气气氛中,加热至约300-500℃至低于约900℃的温度。17.如申请专利范围第8项之方法,更包含在约10-10至10-11拖耳间之超高真空的氢气或氮气气氛中,加热至约300-500℃至低于约900℃的温度。18.一种用于在积体电路装置制造中制造金属矽化物特征的方法,包含有:旋涂一乙酸金属层于一矽半导体基板表面上;将该乙酸金属层与一经加热的金属尖点阵列在真空下接触,该乙酸金属层在金属尖点接触该乙酸金属层之处将变态为金属矽化物,且其中乙酸金属层未与金属尖点接触之处的乙酸金属层并未发生反应,且该乙酸金属未被氧化;以及移除该未反应的乙酸金属层,而留下如该积体电路装置制造中之该金属矽化物特征的该金属矽化物。19.如申请专利范围第18项之方法,其中该乙酸金属层包含乙酸钴、乙酸镍、乙酸铂、乙酸钽及乙酸钯组成的族群之一,并具有约500至2000埃间的厚度。20.如申请专利范围第18项之方法,其中该真空包含在约10-5至10-7拖耳间之高真空的氢气或氮气气氛,以及约300-500℃至低于约900℃的温度。21.如申请专利范围第18项之方法,其中该真空包含在约10-10至10-11拖耳间之超高真空的氢气或氮气气氛,以及约300-500℃至低于约900℃的温度。22.如申请专利范围第18项之方法,其中该金属尖点系与布局对齐。23.如申请专利范围第18项之方法,其中该金属矽化物特征具有小于0.1微米的间隔宽度。图式简单说明:第一图至第三图示意地举例说明本发明之第一个较佳实施例的横剖面图。第四图至第五图示意地举例说明本发明之第二个较佳实施例的横剖面图。第六图至第八图示意地举例说明本发明之第一个较佳实施例的横剖面图。第九图示意地举例说明以本发明之方法所制造之已完成积体电路装置之实例的横剖面图。 |
