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1.一种制造一孔阵基板之方法,该基板设有多数列 阵之孔与多数分别对应于该等孔之静电偏导器,该 方法包含下列步骤: 在一基板上形成一接线纹路; 在该基板上形成一绝缘薄膜覆盖该接线纹路; 在该基板上形成多数凹部分别对应于前述多数的 孔; 在该绝缘薄膜上形成多数可曝现该接线纹路的接 触孔,而分别邻接于前述多数的凹部; 在该绝缘薄膜上淀积一导电薄膜而包含前述多数 的接触孔; 在前述多数个别的接触孔中,以该导电薄膜图案当 作一电极来电镀,而形成该等静电导器的电极可电 连接于前述接线纹路; 除去该导电薄膜;及 以湿蚀刻来除去该基板反面的一部份至一预定位 置,而保护前述部份以外的其它部份。2.如申请专 利范围第1项之方法;其中: 该湿蚀刻步骤系将该基板固设于一保护架中,以覆 盖该基板反面之前述部份以外的部份,并将该基板 浸在一蚀刻溶液中而来进行。3.如申请专利范围 第2项之方法;其中: 该保护架乃包括一本体部具有至少一凹部,该基板 系以使该绝缘薄膜朝向该保护架之凹部的方式来 装设,且该凹部系被密封,而覆盖该基板前述反面 部份以外的部份。4.如申请专利范围第3项之方法; 其中: 该保护架乃含有一密封元件沿着各凹部的边缘部 位列设以分别包围该等凹部;及一固定元件具有孔 可曝现前述反面的一部份,该固定元件系与该本位 部抵接,而该基板压抵于该密封元件。5.如申请专 利范围第1项之方法;其中: 除去该导电薄膜的步骤系以离子磨铣方法来进行 。6.如申请专利范围第1项之方法;其中: 该基板系为一矽基板。7.如申请专利范围第1项之 方法;其中: 该孔阵基板系为一供电子束曝光装置使用的消隐 孔阵。8.一种湿蚀刻方法,其中有一板状工件乃被 装在可固持该工件的机构上,而使该工件的一面朝 向一密闭空间,另一面则朝向一开放空间,当该机 构固持该工件时系被浸在蚀刻溶液中,因此只有前 述之另一面接触到蚀刻溶液,而只湿蚀刻该工件之 前述另一面;该方法包含以下步骤: 将一气体注入该气体之密闭空间内;及 检测该密闭空间的内部压力,并依据该检测的压力 而将该密闭空间的内部压力保持在一预定値。9. 如申请专利范围第8项之湿蚀刻方法,其中: 该预定値系为该机构被浸于蚀刻溶液之前的压力 。10.如申请专利范围第8项之湿蚀刻方法,其中: 该预定値系为比当该机构被浸于蚀刻溶液时施于 该工件表面的压力稍微更高的压力。11.一种湿蚀 刻装置,包含有: 一机构可固持一板状工件,使该工件的一面朝向一 密封空间,而其另一面朝向一开放空间; 一蚀刻槽装有湿蚀刻溶液;可将该工件固设在该机 构上的装置,将该机构浸入该蚀刻槽的蚀刻溶液中 ,而只湿蚀刻该工件的所述另一面; 压力调整装置可藉将气体注入或排出该机构的密 闭空间,而调整该密闭空间的内部压力; 可检测该机构之密闭空间内部压力的装置;及 压力控制装置可依据该检测的压力来控制该压力 调整装置,而将该密闭空间的内部压力保持在一预 定値。12.如申请专利范围第11项之湿蚀刻装置,其 中: 该预定値系为该机构被浸于蚀刻溶液之前的压力 。13.如申请专利范围第11项之湿蚀刻装置,其中: 该预定値系为比当该机构被浸于蚀刻溶液时施于 该工件表面的压力稍微更高的压力。14.一种湿蚀 刻方法,其中有一板状工件乃被装在可固持该工件 的机构上,而使该工件的一面朝向一密闭空间,另 一面则朝向一开放空间,当该机构固持该工件时系 被浸在蚀刻溶液中,因此只有前述之另一面接触到 蚀刻溶液而被湿蚀刻;该方法包含以下步骤: 将该机构之密闭空间连通于在蚀刻溶液外部的位 置。15.如申请专利范围第14项之湿蚀刻方法;其中: 有一气体被注入该密闭空间内。16.一种湿刻装置, 包含有: 一机构可固持一板状工件,使该工件的一面朝向一 密闭空间,而其另一面朝向一开放空间; 一蚀刻槽装有湿蚀刻溶液; 可将该工件固设在该机构上的装置,并将该机构浸 入该蚀刻槽的蚀刻溶液中,而使只有该工件的所述 另一面被湿蚀刻;及 一装置可将该机构之密闭空间连通于该蚀刻槽之 蚀刻溶液外部的装置。17.如申请专利范围第16项 之湿蚀刻装置;其中: 有一气体乃经由该连通装置被注入该密闭空间内 。18.一种电子束曝光装置,包含有: 一电子束源可发射之电子束; 子电子束分隔控制装置可将前述电子束分隔成多 数子电子束,并独立地控制各子电子束是否被用来 曝光; 电子光学装置可将该等多数的子电子束聚焦于一 样品上;及 可偏导该等多数的子电子束之装置; 其中该子电子束分隔控制装置乃包含至少一如申 请专利范围第1项所述之孔阵基板者。图式简单说 明: 第一图示出一举例的电子光学系统之构造,其系为 一消隐孔阵(BAA)式的电子束曝光装置; 第二图系为一BAA的例子之示意图; 第三图A至第三图C乃供说明在BAA系统中之曝光状 况; 第四图系为一整体视图示出一实际的BAA装置; 第五图系为一详图示出一实际的BAA装置之孔部; 第六图系为一BAA装置之剖视图; 第七图A至第七图N示出依据习知方法制造BAA装置 的步骤; 第八图A与第八图B示出一习知的湿蚀刻方法; 第九图A与第九图B示出本发明制造BAA装置的步骤; 第十图A与第十图B示出本发明制造BAA装置之湿蚀 刻处理所使用的架子; 第十一图示出一湿蚀刻装置; 第十二图A与第十二图B示出本发明之湿蚀刻处理 所使用的另一架子; 第十三图示出一使用第十二图A与第十二图B之架 子的湿蚀刻装置之构造; 第十四图用以说明第十三图之装置的蚀刻过程; 第十五图A与第十五图B表示一晶圆在未设贯孔时 用来检知湿蚀刻的进度; 第十六图示出当未设有贯孔时供检知湿蚀刻进度 的另一机构; 第十七图示使用于本发明之湿蚀刻方法的另一架 子; 第十八图表示使用第十七图之架子来进行蚀刻的 方法;及 第十九图系为一电子照片示出一孔部的底面。 |
