| 主权项 |
1.一种电浆增强蚀刻制程中之蚀刻终点侦测方法, 包含如下步骤:量测电浆光强度随时间之变化;决 定蚀刻面积比是否高于根据光强度量测曲线所定 出的临界値;根据蚀刻面积比来选择取样时间间隔 ;利用所选择之取样时间间隔来计算光强度之二次 微分;及根据光强度之二次微分来侦测蚀刻终点。 2.如申请专利范围第1项之电浆增强蚀刻制程中之 蚀刻终点侦测方法,其中,若量测出的光强度为根 据参考取样时间间隔所得之参考光强度的1/2,则取 样时间间隔要提升到参考取样时间间隔的1.5到3.0 倍。3.如申请专利范围第1项之电浆增强蚀刻制程 中之蚀刻终点侦测方法,其中,该决定步骤是根据 在特定时刻之光强度大小来进行的。4.如申请专 利范围第3项之电浆增强蚀刻制程中之蚀刻终点侦 测方法,其中,该决定步骤额外地由光强度对时间 的积分来进行。5.如申请专利范围第1项之电浆增 强蚀刻制程中之蚀刻终点侦测方法,其中,该决定 步骤是根据光强度对时间的积分来进行。6.如申 请专利范围第5项之电浆增强蚀刻制程中之蚀刻终 点侦测方法,其中,光强度的积分是在蚀刻起点至 开始蚀刻后之5到10秒钟间所进行的。7.如申请专 利范围第1项之电浆增强蚀刻制程中之蚀刻终点侦 测方法,其中,该薄膜为一铝膜,而光强度是由波长 为308nm或395nm之光成份来量测的。8.如申请专利范 围第1项之电浆增强蚀刻制程中之蚀刻终点侦测方 法,其中,该薄膜为一钨膜,而光强度是由波长为704. 5nm之光成份来量测的。图式简单说明: 第一图系典型的电浆增强蚀刻系统之概略剖面图 。 第二图系在电浆增强蚀刻制程中造成的光强度曲 线之展示例图。 第三图A及第三图B系第二图中表示之光强度曲线 之二次微分图。 第四图系根据本发明实施例之制程流程图。 第五图系第四图之蚀刻制程所造成之光强度曲线 之展示例图。 第六图A及第六图B系第五图展示之光强度曲线之 二次微分图。 第七图系第四图之蚀刻制程所造成之光强度曲线 之另一展示例图。 第八图A及第八图B系第七图展示之光强度曲线之 二次微分图。 |
