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1.一种拉引半导体单结晶的方法,其中该单结晶具 有大于200mm的直径,且由一矽单结晶拉引装置所拉 引,而该矽单结晶拉引装置具有安装于熔液上方的 一倒立图锥形或圆柱形气体整流筒,其特征在于: 驱动矽单结晶及石英坩埚以使其以相反方向旋转, 且矽单结晶的旋转速度是设定在8-16rpm,其为坩埚 之旋转速度的2倍以上。2.如申请范围第1项之拉引 半导体单结晶的方法,其中在拉引单结晶铸块的预 定区段期间该坩埚的旋转速度是设定在最小値,其 中该区段是从单结晶体的开端到单结晶全长之10% 距离处为止之间的区段,之后,慢慢地增加坩埚的 旋转速度,并将其设定为不大于最大値8rpm。3.如申 请范围第1项之拉引半导体单结晶的方法,其中在 拉引单结晶铸块的预定区段期间经由该气体整流 筒之下端及该熔液之自由表面间之间隙的惰性气 体的流速是设定在最小値,其中该区段是从单结晶 体的开端到单结晶全长之10%距离处为止之间的区 段,之后,慢慢地增加该惰性气体的流速。图式简 单说明: 第一图(a)系显示出拉引单结晶中氧气浓度与坩埚 旋转速度间的关系图; 第一图(b)系显示出拉引单结晶中氧气浓度与单结 晶本身旋转速度的关系图; 第一图(c)系显示出拉引单结晶中氧气浓度与惰性 气体之流速间的关系图; 第二图(a)系显示出依据本发明一实施例于拉引具 有低氧气浓度之单结晶操作期间,拉引之结晶长度 与坩埚旋转速度间的关系图; 第二图(b)系显示出依据本发明一实施例于拉引具 有低氧气浓度之单结晶操作期间,拉引之结晶长度 与拉引之单结晶旋转速度间的关系图; 第二图(c)系显示出依据本发明一实施例于拉引具 有低氧气浓度之单结晶操作期间,拉引之结晶长度 与惰性气体流速间的关系图; 第三图(a)系显示出依据昔知比较例于拉引具有低 氧气浓度之单结晶操作期间,拉引之结晶长度与坩 埚旋转速度间的关系图; 第三图(b)系显示出依据昔知比较例于拉引具有低 氧气浓度之单结晶操作期间,拉引之结晶长度与上 提单结晶之旋转速度间的关系图; 第三图(c)系显示出依据昔知比较例于拉引具有低 氧气浓度之单结晶操作期间,拉引之结晶长度与惰 性气体流速间的关系图; 第四图系显示出沿着藉由第二图所示之实施例方 法所拉引之单结晶的径向轴之氧气浓度散布以及 沿着纵向轴之氧气浓度分布的关系图; 第五图系显示出沿着藉由第三图所示之比较例方 法所拉引之单结晶的径向轴之氧气浓度散布以及 沿着纵向轴之氧气浓度分布的关系图;以及 第六图系显示出一用来拉引矽半导体单结晶之装 置的部分剖面图。 |
