发明名称 半导体制造设备
摘要 本发明系在热处理装置的加热炉周围,设置一种冷却水路组件(5)。该冷却组件具有包括内侧流路(51)及外侧流路(52)的双重水路,其中供应至外侧流路的冷却水,将由内侧水路流出。冷却水路组件(5)的入口及出口温度,举例来说,分别设为40℃及85℃,并将出口侧的冷却水(温排水)供应至热回收部(2)。热回收部(2)由冷却水回收热能后,回收的热能将重新应用在锅炉水加热等的用途。经过热回收处理的冷却水,将再度供应至冷却水路组件(5)。
申请公布号 TW446809 申请公布日期 2001.07.21
申请号 TW089113097 申请日期 2000.07.01
申请人 东京威力科创有限公司;大见忠弘;大成建设股份有限公司 发明人 末永 修;大见忠弘;小林 贞雄
分类号 F28B1/02;F28D20/00 主分类号 F28B1/02
代理机构 代理人 陈长文 台北巿敦化北路二○一号七楼
主权项 1.一种半导体制造设备,其包括:半导体制造机器(1) ; 冷却水路组件(5;7),其系利用冷却水对半导体制造 机器进行冷却者; 热回收部(2),其系对冷却水在通过冷却水路(5;7),吸 收半导体制造机器(1)产生的热能后,变成的温排水 进行热回收者; 供应配管(3),将经由热回收部(2)进行热回收处理的 温排水,供应至前述冷却水路组件(5;7)者;其特征系 以热回收部(2)回收的热能做为半导体制造工厂内 的热源。2.根据申请专利范围第1项之半导体设备, 其中之特征包括:温度检测部(43),其系用以检测上 述冷却水路组件(5;7)出口侧的冷却水温度;流量控 制部(44),其系藉由控制冷却水路组件(5;7)的冷却水 流量,使该温度检测部(43)的温度检测値符合设定 温度者。3.根据申请专利范围第1项或第2项之半导 体设备,其中之特征包括: 旁通管路(72),其系用以连接冷却水路组件(7)的入 口侧及出口侧,用以将冷却水由出口侧迂回流向入 口侧者;及 控制流量部(73),其系设置在旁通管路(72)上,用以控 制冷却水的流量。4.根据申请专利范围第3项之半 导体设备,其中具备一种检测装置(T2,T3),可用以检 测出上述冷却水路组件(7)的入口侧及出口侧之间 温差,并且根据该检测装置检测出来的温差,透过 设置在前述旁通管(72)的前述流量控制部(73),对流 入前述冷却水路组件(7)的冷却水流量进行控制者 。5.根据申请专利范围第1项或第2项之半导体设备 ,其中具备一种热交换器(20),用以将流经供应配管( 3)的温排水冷却成冷却水,并且该由热交换器(20)流 出的冷却水,供应至冷却水路组件(5;7)者。6.根据 申请专利范围第1项或第2项之半导体设备,其中之 冷却水路组件(5;7),其特征系包括: 内侧流路(51),其形成上系围绕在半导体制造机器(1 )发热部位上,并且具有冷却水的出口(62)者;及 外侧流路(52),其不仅具有冷却水入口(61),并且在形 成上系围绕在内侧流路(51)上,藉此与内侧流路(51) 的冷却水进行热交换者。7.根据申请专利范围第1 项或第2项之半导体设备,其中之特征包括:供应至 前述冷却水路组件(5;7)的冷却水温度系在10℃至45 ℃之间、由前述冷却水路组件(5;7)流出的冷却水 温度系98℃以下、及供应至前述冷却水路组件(5;7) 的冷却水与由前述冷却水路组件(5;7)流出的冷却 水之间的温差在35℃以上者。8.根据申请专利范围 第1项或第2项之半导体设备,其中之供应至前述冷 却水路组件(5;7)的冷却水,系经过脱氧及溶解还原 性物质者。9.根据申请专利范围第8项之半导体设 备,其中之还原性物质为氢气,并且对冷却水的氢 溶解量为0.4 ppm以上者。10.根据申请专利范围第1 项或第2项之半导体设备,其中系利用不会产生气 体污染性物质的隔热材料,不仅是冷却水路组件(5; 7),至少还对冷却水路组件出口(62)到无尘室之间, 其中与空气接触范围内的出口配管表面,进行包覆 者。图式简单说明: 第一图A其系单管螺旋状冷却水路组件的斜视图。 第一图B其系单管螺旋状冷却水路组件的正面图。 第二图其系用以冷却半导体制造机器的习用冷却 设置构造图。 第三图其系本发明的第一实施例中的半导体制造 设备构造图。 第四图其系本发明的第一实施例中的半导体制造 设备之详细构造图。 第五图A及第五图B其系第四图所示的冷却水路组 件一例之说明图。 第六图其系第四图所示冷却水路组件之他例的说 明图。 第七图其系第六图所示的冷却水路组件之剖面图 。 第八图其系冷却水路组件之另外他例的说明图。 第九图其系在本发明的第一实施例之半导体制造 装置上,所配置之纵型热处理装置的斜视图。 第十图其系冷却水路组件之另外他例的斜视图。 第十一图其系本发明的第二实施例之半导体制造 设备的一部份构造图。 第十二图其系本发明的第三实施例之半导体制造 设备的一部份构造图。 第十三图其系本发明的第四实施例之半导体制造 设备的一部份构造图。
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