发明名称 具防止静电崩溃之构造且能测试每一像素之薄膜电晶体型液晶显示器装置及其制造方法
摘要 在一种薄膜电晶体型液晶显示器装置中包含许多驱动信号线(Xvi),许多资料信号线(Yvj),许多像素,各接至其中之一驱动信号线和其中之一资料信号线,连接至驱动信号线之一共通驱动信号线(C1),和连接至资料信号线之一共通资料信号线C2),许多第一电阻(Rvxl, Rvx2,…)连接在共通驱动信号线和驱动信号线之间,以及许多第二电阻(RvYl,RvY2,…)连接在该共通资料信号线和资料信号线之间。
申请公布号 TW446833 申请公布日期 2001.07.21
申请号 TW084110306 申请日期 1995.10.03
申请人 电气股份有限公司 发明人 清水健也
分类号 G02F1/13;G02F1/136 主分类号 G02F1/13
代理机构 代理人 何金涂 台北巿大安区敦化南路二段七十七号八楼
主权项 1.一种薄膜电晶体型液晶显示器装置,包含: 许多驱动信号线(Xi); 许多信号信号线(Yj); 许多像素(Pij),各连接至该其中之一驱动信号线和 该其中之一资料信号线; 一共通驱动信号线(C1),连接至该等驱动信号线; 一共通资料信号线(C2),连接至该等资料信号线; 许多第一电阻(Rx1,Rx2,…),各连接在该共通驱动信 号线和该其中之一驱动信号线之间; 许多第二电阻(Ry1,Ry2,…),各连接在该共通资料信 号线和该其中之一资料信号线之间; 许多驱动信号输入垫(PX1,PX2,…),各连接在该其中 之一驱动信号线和该其中之一第一电阻之间;以及 许多资料信号输入垫(PY1,PY2,…),各连接在该其中 之一资料线和该其中之一第二电阻之间。2.如申 请专利范围第1项之装置,其中各该第一和第二电 阻系由相同于像素电极(Eij)之材料所做成。3.如申 请专利范围第2项之装置,其中该材料系由铟锡氧 化物(ITO)所做成。4.如申请专利范围第1项之装置, 进一步包含: 一第一接地垫(PG1),连接至该共通驱动信号线;以及 一第二接地垫(PG2),连接至该共通资料信号线。5. 如申请专利范围第1项之装置,其中各该第一和第 二电阻为弯弯曲曲。6.一种薄膜电晶体型液晶显 示器装置,包含: 一透明绝缘基底(1); 一第一导电样型(2),形成在该透明绝缘基底上以便 界定驱动信号输入垫,共通驱动信号线,资料信号 输入垫,共通资料信号线,和薄膜电晶体像素之闸 电极; 一第一绝层(3)形成在该闸电极上; 一半导体层(4),形成在该第一绝缘层上,以便界定 该等驱动信号输入垫和该共通驱动信号线间之第 一岛,该等资料信号输入垫和该共通资料信号以及 该等薄膜电晶体主动层间之第二岛; 一二导电层(5),形成在该第一绝缘层和该半导体层 上,以便界定该等驱动信号输入垫,经由该等第一 岛连接至该等驱动信号输入垫之该共通驱动信号 线,该等资料信号输入垫,经由该等第二岛连接至 该等资料信号垫之该共通资料信号线,以及该等薄 膜电晶体之源电极和泄流电极; 一第二绝缘层(7),形成在该等主动层,该等源电极 和该等泄流电极上;以及 一第三导电层(8),形成在该第二导电层和该透明绝 缘基底上,用以界定该等驱动信号输入垫,连接至 该等驱动信号输入垫之该共通驱动信号线,该等资 料信号输入垫,连接至该等资料信号输入垫之该共 通资料信号线,以及该等像素之电极。7.如申请专 利范围第6项之装置,其中介于该等驱动信号输入 垫和该共通驱动信号线之间以及介于该等资料信 号输入垫和该共通驱动信号线之间的该第三导电 层是弯弯曲曲的。8.一种薄膜电晶体型液晶显示 器装置之制造方法,该装置系含许多驱动信号线(Xi ),许多资料信号线(Yj),许多由薄膜电晶体(Qij)和位 于该等驱动信号线与该等资料信号线交叉处之像 素电极(Eij)所形成之像素,包含下列步骤: 形成一第一导电层(2)在一玻璃绝缘基底(1)上,该第 一导电层界定连接至该等驱动信号线之驱动信号 输入垫 (Pxi),连接至该等驱动信号线之一共通驱动信号线( C1),连接至该等资料信号线之资料信号输入垫(Pyj), 连接至该资料信号输入线之一共通资料信号线(C2) ,以及该等薄膜电晶体之一闸电极(G); 形成一半导体层(4)在该第一导电层和该第一导电 层上,该半导体层界定第一岛(4(I))在该等驱动信号 输入垫和该共通驱动信号线之间,第二岛在该等资 料信号输入垫和该共通资料信号线之间,以及该等 薄膜电晶体之主动层(4(A)); 形成一第二导电层(5)在该第一导电层和该半导体 层上,该第二导电层界定经由位于该等驱动信号输 入垫和该共通驱动信号线之间的该第一岛以及经 由位于该等资料信号输入垫和该共通资料信号线 源极电极与该等薄膜电晶体泄流电极之间的该等 第二岛链结的链结部分。 移除位于该等驱动信号输入垫和该共通驱动信号 线之间的该第一导电层之链结分以及位于该等资 料信号输入垫和该共通资料信号线之间的链结部 分; 移除部份该半导体层以增加该等第一和第二岛之 阻抗并将该等主动层改变至通道区域;以及 形成一第三导电层(8)在该第二导电层和该透明绝 缘基底上,该第三导电层界定位于该等驱动信号入 垫和该共通驱动信号线之间的链结部分(8(L))以及 位于该等资料信号输入垫和该共通资料信号线之 间的链结部分,为界定该等像素电极。9.如申请专 利范围第8项之方法,其中该第三导电层之链结部 分是弯弯曲曲的。图式简单说明: 第一图为一说明先前技艺主动矩阵型LCD装置之电 路图; 第二图为一说明根据本发明主动矩阵型LCD装置之 实施例之电路图; 第三图A,第四图A,第五图A,第六图A和第七图A为解 释第二图装置制造步骤之平面图;以及 第三图B,第四图B,第五图B,第六图B和第七图B为解 释第二图装置制造步骤之切面图。
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