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<p>L'invention concerne un système implanteur (300) d'ions amélioré, comprenant une pompe de fixation de gaz située en amont d'un substrat de semi-conducteur (128). On utilise une source de métal de fixation de gaz (130) afin de former un nouveau film solide de métal de fixation de gaz sur la surface de sorption d'un élément de fixation de gaz, tout en isolant la source de métal de fixation de gaz (130) du chemin de faisceau ionique (232) et du substrat de semi-conducteur (128). Le métal de fixation de gaz est, de préférence, du titane permettant d'éliminer l'hydrogène résultant du dégazage du substrat de semi-conducteur (128) résistant.</p> |
