发明名称 Halbleiterspeicherbauelement mit hierarchischer Wortleitungsstruktur
摘要 Die Erfindung bezieht sich auf ein Halbleiterspeicherbauelement mit mehreren Speicherfeldblöcken und einer aufgeteilten bzw. hierarchischen Wortleitungsstruktur. DOLLAR A Erfindungsgemäß sind die Subwortleitungsaktivierungssignale so angeordnet, dass die Anzahl an Subwortleitungstreibereinheiten, die von einem jeweiligen Subwortleitungsaktivierungssignal beaufschlagt werden, für alle Subwortleitungsaktivierungssignale gleich groß ist, so dass kein ungleicher Leistungsverbrauch auftritt, wenn jedes der Subwortleitungsaktivierungssignale auf dem hohen Pegel einer Boost-Spannung liegt. DOLLAR A Verwendung z. B. für Halbleiterspeicher mit wahlfreiem Zugriff.
申请公布号 DE10063732(A1) 申请公布日期 2001.07.19
申请号 DE20001063732 申请日期 2000.12.12
申请人 SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD. 发明人 KIM, JAE-HOON
分类号 G11C8/14;H01L27/02;(IPC1-7):G11C8/14 主分类号 G11C8/14
代理机构 代理人
主权项
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