发明名称 用于晶体生长装置的电阻加热器
摘要 本发明的电阻加热器,供在按照直拉法生长单晶硅锭的拉晶机中使用,该电阻加热器包括一个加热元件,此加热元件加工成一定尺寸和形状,用于设置在拉晶机的外罩中围绕坩埚,用于将热量加到坩埚和其中的硅上。加热元件包括若干加热分段,它们在电路中连接在一起。各分段具有上面部分和下面部分并彼此相对地配置,以便当围绕装熔化硅的坩埚设置时,上面部分一般是设置在包括熔化的硅表面的一个水平面上方,而下面部分一般是设置在该水平面的下方。将上面部分制成比下面部分产生更多的发热能力,以便由此来减少在其表面处熔化的硅和刚好在熔化的硅表面上方晶锭之间的温度梯度。上面部分具有一与下面部分基本上相等的厚度,并具有一显著小于下面部分的宽度。上面部分的截面积各处都小于下面部分的截面积。
申请公布号 CN1304460A 申请公布日期 2001.07.18
申请号 CN99807056.4 申请日期 1999.06.04
申请人 MEMC电子材料有限公司 发明人 理查德·G·施伦克;威廉·L·卢特
分类号 C30B15/14 主分类号 C30B15/14
代理机构 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 代理人 王景林
主权项 1.电阻加热器,供在按照直拉法生长单晶硅锭的拉晶机中使用,拉晶机具有一个外罩、一个坩埚和一个提拉机构,上述坩埚在外罩中用于装熔化的硅,而提拉机构用于从熔化的硅中向上提拉正在生长的晶锭,加热器包括一个加热元件,该加热元件加工成一定尺寸和形状,用于安放在拉晶机的外罩中,它围绕坩埚用于将热量加到坩埚及其中的硅上,加热元件包括在电路中连接在一起的加热分段,各分段具有上面部分和下面部分并且彼此相对地配置,以便当围绕装熔化硅的坩埚设置时,上面部分一般是设置在一包括熔化的硅表面的水平面上方,而下面部分一般是设置在该水平面的下方,上面部分制成比下面部分产生更多的发热能力,由此来减少在其表面处熔化的硅和刚好在熔化的硅表面上方的晶锭之间的温度梯度,上面部分具有一与下面部分基本上相等的厚度,和具有一显著地小于下面部分的宽度,上面部分的截面积处处都小于下面部分的截面积。
地址 美国密苏里