| 发明名称 |
Capacitor with tantalum oxide Ta2O5 dielectric layer and silicon nitride layer formed on lower electrode surface |
| 摘要 |
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| 申请公布号 |
GB2358284(A) |
申请公布日期 |
2001.07.18 |
| 申请号 |
GB20000015991 |
申请日期 |
2000.06.29 |
| 申请人 |
* HYUNDAI ELECTRONICS INDUSTRIES CO., LTD. |
发明人 |
KWANG CHUL * JOO;KEE JEUNG * LEE;IL KEOUN * HAN |
| 分类号 |
C23C16/40;H01L21/02;H01L21/316;H01L21/321;H01L21/8242;H01L27/108;(IPC1-7):H01L21/02;H01L21/824 |
主分类号 |
C23C16/40 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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