含有电容器的半导体存储器件的制造方法

摘要

一种制造铁电随机存取存储器件的方法包括:准备一有源矩阵,它具有晶体管、扩散区、隔离区、位线以及第一绝缘层和第二绝缘层;在有源矩阵上顺序构成第一导电层和电介质层;进行快速热退火,用以在电介质层中形成核;形成第二导电层;进行热退火;通过构图来形成具有顶部电极、电容器薄膜和底部电极的电容器结构;进行第一次恢复;在电容器结构和第二绝缘层上形成第三绝缘层;将第三绝缘层构图形成第一开口和第二开口;和进行第二次恢复。

主权项

1．一种制造铁电随机存取存储器件(FeRAM)的方法，该方法包括如下步骤：a)准备一个有源矩阵，它具有晶体管、扩散区、隔离区、位线以及第一绝缘层和第二绝缘层；b)在有源矩阵上顺序构成第一导电层和电介质层；c)进行快速热退火(RTA)，用以在电介质层中形成核；d)在电介质层的顶部形成第二导电层；e)在炉中进行热退火；f)通过将第二导电层、电介质层和第一导电层构图成第一预定构形，来形成具有顶部电极、电容器薄膜和底部电极的电容器结构；g)进行第一次恢复；h)在电容器结构和第二绝缘层上形成第三绝缘层；i)将第三绝缘层构图形成第一开口和第二开口；和j)进行第二次恢复。