将熔融硅组合物渗入多孔基体内的方法

摘要

许多基体（１０）与作为金属基组合物源的层（１２）交替并互相接触地放置，层（１２）的每一层包含有由金属基组合物形成的主相和适于在组合物处于熔融状态时形成贮留和引液该金属基组合物的结构的次相。把该批料加热到该金属基组合物熔点以上的温度，以便熔融状态的该金属基组合物能从每一个源穿过与该源邻接的基体或各个基体的邻接表面迁移向基体内部。本发明尤其用于把一种硅基组合物渗入到高温结构复合材料内，特别是一种要硅化的碳—碳复合材料。

主权项

1 把一种金属基组合物同时渗入许多多孔基体内的方法，所述的金属基组合物主要包括熔点低于2000℃并能够与硅反应形成耐火碳化物的金属，所述多孔基体为碳-碳复合材料或陶瓷基复合材料，其特征在于它包含下述步骤：制备至少一批含有多个交替放置并与由金属基组合物源构成的层相接触的多孔基体，每一层包含由该金属基组合物构成的主相和适于对熔融状态的该金属基组合物形成一种贮留和引液结构的次相；并，把该批料加热到该金属基组合物熔点以上的温度下，以便使熔融状态的该金属基组合物从各个源穿过邻接该源的相应基体或各个基体的邻接表面迁移向基体的内部。