发明名称 |
多层磁电阻检测器及其制造方法和磁存储系统 |
摘要 |
磁电阻读检测器,含有由一个平面阵列中的一个或多个磁电阻元件形成的磁电阻检测元件,各个磁电阻元件具有被非磁层分隔的至少两个铁磁层构成的多层结构。铁磁层由铁磁层相对边的静磁耦合以反铁磁方式耦合。由间隔层分离于磁电阻检测元件的偏置层提供磁场,在非信号点偏置磁电阻检测元件,用于线性响应。 |
申请公布号 |
CN1068689C |
申请公布日期 |
2001.07.18 |
申请号 |
CN94118724.1 |
申请日期 |
1994.11.19 |
申请人 |
国际商业机器公司 |
发明人 |
凯文·罗伯特·科非;罗伯特·爱德华·冯塔纳;詹姆斯·肯·霍华德;托德·莱尼尔·西尔顿;迈壳尔·安德鲁·帕克;桑秦华 |
分类号 |
G11B5/39 |
主分类号 |
G11B5/39 |
代理机构 |
中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 |
代理人 |
范本国 |
主权项 |
1.一种多层磁电阻检测器,包括第一和第二铁磁材料层,由一非磁性材料层分隔,形成多层磁结构,其特征在于:所述多层磁结构上形成有图案以形成一个多元件平面阵列,所述阵列的各个元件与相邻的元件相分隔,在所述阵列上形成有一个由导电材料制成的导电层,导电材料填充所述元件之间的空间,以在所述多层磁结构的平面中的所述元件之间提供导电性,所述阵列的各个所述元件具有所希望的形状,且其在所述多层磁结构的平面中的最大尺寸为10.0微米或更小,各个所述元件的第一和第二铁磁层在其相对的边缘上借助静磁耦合而以反铁磁的方式耦合,作用场包括存在于各个所述元件的所述第一和第二铁磁层之间的所述静磁耦合部分和交换耦合部分,所述第一和第二铁磁层之间的净作用场是反铁磁的,所述第一铁磁层中的磁化方向基本上与所述第二铁磁层中的磁化方向反平行,在各个铁磁层中的磁化方向根据所加的磁场而转动,所述磁电阻检测器的电阻作为相邻铁磁层中的磁化方向之间角度变化的函数而变化。 |
地址 |
美国纽约 |