硅外延晶片及其制造方法

摘要

直接在化学蚀刻基片上形成硅单晶薄膜之方式,能有效地降低全制程所需时间,对于硅外延晶片之制造成本的降低与制造效能之提升,进而在晶片价格的降低以及交期缩短上有相当大的贡献。此外,于进行化学蚀刻处理时,由于能将蚀刻量确保在60μm以上,因此能将化学蚀刻基片主表面的光泽度提高到95%以上。由此,能将形成于化学蚀刻基片主表面上之硅单晶薄膜之光泽度提高到95%,而在其后之光刻步骤中亦能毫无问题地进行自动校准处理。

主权项

1 一种硅外延晶片，其特征在于：系在由表面光泽度为95％以上之硅单晶所构成之化学蚀刻基片上，形成硅单晶薄膜。