Non-volatile semiconductor memory featuring effective cell area reduction using contactless technology
摘要
<p>본 발명은, 비접촉 불휘발성 메모리에서 메모리 셀 면적을 유효하게 저감하기 위해서, 주 비트 라인들을 열 방향에 지그재그로 형성하여 메모리 셀 블록들의 2개의 인접하는 열에 매립된 로컬 비트 라인들에 교번적으로 연결한 것으로, 주 비트 라인들의 수를 반감시킬 수 있기 때문에, 주 비트 라인의 피치가 저감되고 또한 메모리 셀 면적이 작아진다는 효과가 있다.</p>
