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<p>게이트 산화막의 손상을 회복시키는 반도체 장치의 게이트 구조 제조 방법을 개시한다. 본 발명의 일 관점은, 반도체 기판 상에 게이트 산화막을 형성한다. 게이트 산화막 상에 실리콘 원소를 함유하는 도전층을 형성한다. 이러한 도전층으로는 다결정 실리콘층 및 다이클로로실란(dichlorosilane) 계 텅스텐 실리사이드층의 적층 구조를 이용할 수 있다. 도전층을 패터닝하여 게이트를 형성한다. 게이트의 측벽을 덮는 실리콘 소오스층(silicon source layer)을 실리콘의 선택적 에피택셜 성장(selective epitaxial growth)으로 형성한다. 실리콘 소오스층은 대략 200Å 이하의 두께로 성장된다. 실리콘 소오스층을 산화 분위기에서 열처리하여 게이트 산화막에 발생된 손상을 회복시킨다.</p> |
