| 摘要 |
<p>소자분리영역의 형성 방법은 : 반도체기판에 제 1 절연막과 내산화용 퇴적막을 순차 형성하는 단계; 상기 내산화용 퇴적막, 제 1 절연막 및 반도체기판을 이방성 에칭에 의해 순차 가공하여 상기 반도체기판에 트렌치홈을 형성하는 단계; 적어도 상기 트렌치홈의 내부 표면을 덮도록 제 2 절연막을 형성하는 단계; 상기 트렌치홈에 매립된 제 3 절연막의 두께가 트렌치홈의 깊이보다 크도록 트렌치홈에 제 3 절연막을 퇴적하는 단계; 상기 제 3 절연막의 표면과 트렌치홈의 상부 표면을 평탄화하는 단계; 및 상기 내산화용 퇴적막과 제 1 절연막을 제거하여 소자분리영역을 형성하는 단계를 포함하며, 제 3 절연막을 치밀화하고 제 2 절연막과 반도체기판 사이의 계면을 산화시키도록 상기 전체 표면에 열처리를 실행한다.</p> |
