| 摘要 |
<p>본 발명의 표면처리 방법은 플라즈마 질화 공정의 후반부에 챔버 내부의 질소 분압을 낮추거나 챔버 내부의 질소 분압을 주기적으로 변화시킴으로써 피처리물의 표면에 형성되는 화합물층의 생성을 억제시킬 수 있도록 한 것으로, 본 발명의 일 실시예에 따른 표면처리 방법은 플라즈마 질화용 진공챔버 내에 피처리물을 장입한 후 300℃ 이상으로 가열시키는 단계; 질소가스와 수소가스가 포함된 분위기에서 상기 피처리물을 플라즈마 질화시키는 단계; 및 상기 피처리물의 플라즈마 질화 공정시 플라즈마 질화 공정을 전반부와 후반부로 나누어 상기 전반부에서는 상기 챔버 내의 질소 분압을 화합물이 형성될 수 있을 만큼 높게 유지시키고, 후반부에서는 상기 전반부에 비해서 상기 챔버 내의 질소 분압을 낮추어서 플라즈마 질화를 수행하는 단계를 구비하여 이루어지며, 본 발명의 타 실시예에 따른 표면처리 방법은 플라즈마 질화용 진공챔버 내에 피처리물을 장입한 후 대략 300℃ 이상으로 가열시키는 단계; 질소가스와 수소가스가 포함된 분위기에서 상기 피처리물을 플라즈마 질화시키는 단계; 및 상기 피처리물의 플라즈마 질화 공정시 상기 챔버 내의 질소분압을 주기적으로 변화시키면서 플라즈마 질화를 수행하는 단계를 구비하여 이루어진다.</p> |
