| 摘要 |
<p>본 발명은 반도체 기술에 관한 것으로, 특히 레이저 결정화를 이용하는 다결정 실리콘 박막 형성 및 그를 이용한 박막 트랜지스터 제조방법에 관한 것이며, 저온 공정을 이용할 수 있으며, 균일하고 재현성 있는 다결정 실리콘 박막을 얻는 것을 그 목적으로 한다. 본 발명은 레이저 결정화 이전에 비정질 실리콘 박막에 선택적으로 고에너지, 고밀도의 실리콘 이온주입을 실시하여 박막에 기계적 변형을 유도하고 변형된 부분을 레이저 결정화 과정의 결정핵으로 이용하여 다결정 실리콘의 결정립을 크게 하고 동시에 트랩 밀도를 줄임으로써 균일하고 재현성 있는 양질의 다결정 실리콘 박막을 제작할 수 있다.</p> |
