| 摘要 |
<p>본 발명은 모스 트랜지스터 제조방법에 관한 것으로, 종래 모스 트랜지스터 제조방법은 집적화가 심화되면서 열전하 발생등의 영향으로 소자의 특성이 열화되는 문제점이 있었다. 이와 같은 문제점을 감안한 본 발명은 상부에 불순물 영역이 형성된 기판에 트랜치를 형성하고 그 트랜치내에 절연막을 형성하는 단계와; 상기 절연막의 상부전면 및 중간농도의 소스 및 드레인의 일부를 소정깊이로 식각한 후, 그 식각영역에 채널영역을 형성하는 단계와; 상기 채널영역과 중간농도 소스 및 드레인의 상부전면에 저농도 및 고농도 불순물 영역을 순차적으로 형성하고, 그 고농도 및 저농도 불순물 영역의 일부를 식각하여 상기 채널영역과 그 주변부의 중간농도 소스 및 드레인의 일부를 노출시켜, 상기 중간농도 소스 및 드레인의 상부에 순차적으로 적층된 저농도 소스 및 드레인과 고농도 소스 및 드레인을 형성하는 단계와; 상기 저농도 소스 및 드레인과 고농도 소스 및 드레인의 식각부분 측면과 상기 노출된 채널영역과 중간농도 소스 및 드레인의 상부에 게이트산화막을 형성하고, 그 게이트산화막의 상부에 상기 고농도 소스 및 드레인의 상부면과 동일평면상의 상부면을 갖는 게이트전극을 형성하는 단계로 구성되어, 소스 및 드레인을 중간농도, 저농도, 고농도의 적층구조로 형성함과 아울러 그 소스와 드레인 사이 기판영역에 분리영역을 형성하여 소자의 집적화가 심화되는 경우에도 열전하 발생을 방지하여 모스 트랜지스터의 집적도를 향상시키며, 그 특성을 향상시키는 효과가 있다.</p> |
