| 摘要 |
<p>하부 금속배선이 형성된 반도체기판상에 일정두께의 절연막을 형성하는 단계와, 상기 절연막상에 비아콘택 형성용 감광막패턴을 형성하는 단계, 상기 감광막패턴에 의해 부분적으로 노출된 절연막 부분에 이온주입을 행하는 단계, 상기 비아콘택 형성용 감광막패턴을 제거하는 단계, 상기 절연막상에 상부 금속배선 형성용 감광막패턴을 형성하는 단계, 및 상기 감광막패턴을 마스크로 이용하여 상기 절연막을 일정두께만큼 식각하는 단계를 포함하여 구성되는 이온주입공정을 이용한 금속배선 형성을 위한 대머신구조 형성방법을 제공한다.</p> |
