发明名称 Flash memory of multilevel senser
摘要 <p>본 발명에 따른 멀티레벨을 가지는 플레시 메모리를 센싱하기 위한 장치는 전압발생수단과 플레시 메모리 셀 어레이와 레벨 디텍터 셀 블록과 제 1 및 제 2 센스엠프리파이어와 디코더와 래치부와 기준전류 공급수단을 포함하며 기준전류 공급수단은 전압발생수단에서 공급되는 전압의 변화에 따라 기준전류를 가변할 수 있다 따라서, 콘트롤게이트전압의 증가에 따라 기준전류도 증가시켜 게이트의 문턱전압을 변화시켜 각 레벨의 간격을 크게하여 센싱감도를 증가시킬 수 있다.</p>
申请公布号 KR100294974(B1) 申请公布日期 2001.07.12
申请号 KR19990005907 申请日期 1999.02.23
申请人 null, null 发明人 한창관
分类号 G11C16/06 主分类号 G11C16/06
代理机构 代理人
主权项
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