| 主权项 |
1.一种绝缘层上有矽晶圆的制造方法,其包括下列步骤:在一矽晶圆表面形成一氧化矽层;通入一反应气体,在该氧化矽层表面形成为一单晶矽层;以及在该矽晶圆上形成一磊晶矽层。2.如申请专利范围第1项所述之制造方法,其中形成该氧化矽层的方法包括是热氧化法。3.如申请专利范围第1项所述之制造方法,其中该反应气体包括浓度约为50%至80%的氢气。4.如申请专利范围第3项所述之制造方法,其中该反应气体更包括氩气。5.如申请专利范围第3项所述之制造方法,其中该反应气体更包括氮气。6.如申请专利范围第1项所述之制造方法,其中形成该单晶矽层的温度约为1150℃至1250℃。7.一种绝缘层上有矽晶圆的制造方法,其包括下列步骤:进行一热氧化步骤,在一矽晶圆表面形成一氧化矽层;通入一反应气体,将该氧化矽层表面还原为一单晶矽层,其中该反应气体至少包括氢气;以及以该单晶矽层为晶种,在该矽晶圆上形成一磊晶矽层。8.如申请专利范围第7项所述之制造方法,其中该反应气体内氢气的浓度约为50%至80%。9.如申请专利范围第7项所述之制造方法,其中该反应气体更包括氩气。10.如申请专利范围第7项所述之制造方法,其中该反应气体更包括氮气。11.如申请专利范围第7项所述之制造方法,其中还原该氧化矽层的温度约为1150℃至1250℃。图式简单说明:第一图A至第一图D系绘示习知绝缘层上有矽晶圆制造流程的剖面示意图;以及第二图A至第二图C系绘示根据本发明一较佳实施例之绝缘层上有矽晶圆制造流程的剖面示意图。 |
