半导体制造装置

摘要

磊晶成长装置(l)备有:具有与处理室(2)之晶圆导入口(5)连通之通路(7)的晶圆导引构件(8)、以及可开闭通路口的开闭机构(9)。开闭机构(9)系由具有已形成有用来收容O型环(14)之环状沟(13)之门本体(12)的门部(10)，以及用来驱动该门部(10)的压缸(ll)所构成。又，在门本体(12)的开口面(12a)，则在从环状沟(13)的外侧缘部(13f)开始到外侧部分的整体设置倒角部(15)。藉此,当关闭门部(10)时,可以充分地防止门本体(12)的缘部与晶圆导引构件(8)接触。

主权项

1.一种半导体制造装置,其主要系针对一备有处理室、具有将被处理体导入到该处理室内之通路的被处理体导引部,以及具有可开闭该通路之门部的开闭机构的半导体制造装置,其特征在于:上述门部具有:具有开口在上述通路之面向开放端的面的环状沟,且在形成该环状沟之开口的外侧缘部的外侧形成倒角部的门本体及;被收容在上述环状环内,而呈环状的密封构件。2.如申请专利范围第1项之半导体制造装置,上述环状沟系由底面、内侧侧面以及外侧侧面所形成。上述内侧侧面具有从上述环状沟之形成开口的外侧缘部开始,朝向上述门本体的内侧,且相对于该门本体的侧面呈斜向延伸的领域。而上述外侧侧面,具有从上述环状沟之形状开口的外侧缘部开始,朝向上述门本体的外侧,且相对于该门本体的侧面呈斜向延伸的第1领域,与从该第1领域开始,大约与上述门本体的侧面呈平行延伸的第2领域。图式简单说明:第一图系表本发明之半导体制造装置之最佳之一实施形态之构成的模式断面图,乃概略地表示磊晶成长装置。第二图系表本发明之半导体制造装置之最佳之一实施形态之主要部分的放大断面图,系表第一图之晶圆导引构件以及开闭机构的说明图。第三图系表本发明之半导体制造装置之最佳之一实施形态之其他之主要部分的立体图,系表第二图所示之门部的说明图。第四图系表本发明之半导体制造装置之最佳之一实施形态之又一其他主要部分的断面图,系表第二图中之形成在门本体之环状沟的说明图。第五图A系表藉由驱动第二图所示的压缸来打开门部之状态的说明图、第五图B系表藉由驱动同一个,压缸来关闭门部的状态的说明图。