| 主权项 |
1.一种多晶片堆叠封装构造,其系包含:一多晶片模组基板;一第一晶片,具有相对之接合面(bonding face)及底面(base face),该第一组片底面黏着于该多晶片模组基板,该第一晶片接合面具有一中央区域及复数个接合焊垫位于中央区域之周围;一第二晶片,具有相对之接合面(bonding face)及底面(base face),该第二晶片接合面具有一中央区域及复数个接合焊垫位于中央区域之周围,第二晶片底面具有一外部阶梯层(outer tier)及一中央阶梯层(central tier),第二晶片之中央阶梯层具有一厚度及一周边,中央阶梯层之周边系完全位于且黏着于第一晶片之中央区域内;复数条第一连接线将第一晶片之个别接合焊垫与多晶片模组基板电性相连接,第一连接线界定一弧高(loop height)一指第一晶片之接合面与连接线弧顶点间的距离,第二晶片中央阶梯层之厚度大于第一连接线之弧高,使第二晶片之底面得与第一连接线以不接触方式堆叠于第一晶片之接合面上;及复数条第二连接线将第二晶片之个别接合焊垫与多晶片模组基板电性相连接。2.依申请专利范围第1项之多晶片堆叠封装构造,其另包含一黏着层将该第二晶片底面黏着于该第一晶片接合面。3.依申请专利范围第2项之多晶片堆叠封装构造,其中该黏着层系为一胶带。4.依申请专利范围第2项之多晶片堆叠封装构造,其中该黏着层系为一环氧树脂。5.依申请专利范围第1项之多晶片堆叠封装构造,其中该第一连接线之弧高系为6密尔。6.依申请专利范围第1项之多晶片堆叠封装构造,其中该第二晶片之中央阶梯层之厚度为8-10密尔。7.一种制造多晶片堆叠封装构造之方法,其包含下列步骤:提供一多晶片模组基板;黏着一第一晶片于该多晶片模组基板,该第一晶片具有相对之接合面(bonding face)及底面(base face),该第一晶片接合面具有一中央区域及复数个接合焊垫焊于中央区域之周围;电性连接复数条第一连接线于第一晶片之个别接合焊垫与多晶片模组基板间,第一连接线界定一弧高(loop height)一指第一晶片之接合面与连接线线弧顶点间的距离;黏着一第二晶片于该第一晶片上,该第二晶片具有相对之接合(bonding face)及底面(base face),该第二晶片接合面具有一中央区域及复数个接合焊垫位于中央区域之周围,第二晶片底面具有一外部阶梯层(outer tier)及一中央阶梯层(central tier),第二晶片之中央阶梯层具有一厚度及一周边,中央阶梯层之周边系完全位于且黏着于第一晶片之中央区域内,第二晶片中央阶梯层之厚度大于第一连接线之弧高,使第二晶片之底面得与第一连接线以不接触方式堆叠于第一晶片之接合面上;及电性连接复数条第二连接线于第二晶片之个别接合焊垫与多晶片模组基板间。8.依申请专利范围第7项之制造多晶片堆叠封装构造之方法,其中该第一连接线之弧高系为6密尔。9.依申请专利范围第7项之制造多晶片堆叠封装构造之方法,其中该第二晶片之中央阶梯层之厚度为8-10密尔。10.依申请专利范围第7项之制造多晶片堆叠封装构造之方法,其中该第二晶片系由下列步骤制成:将一晶圆固定于一工作台,使该晶圆之背面朝上而正面朝下;以一研磨轮平行于晶圆背面机械式研磨该晶圆至预设之第一厚度;以一厚切割刀沿研磨后晶圆之晶片切割线将晶圆切割以形成一构沟;再以一薄切割刀将具槽沟晶圆切割成个别之第二晶片,使第二晶片底面形成一外部阶梯层(outer tier)及一中央阶梯层(certral tier),中央阶梯层具有一厚度T约为8-10密尔。图式简单说明:第一图a:习知美国专利第5323060号之多晶片封装构造之剖面图;第一图b:习知美国专利第6005778号之多晶片封装构造之剖面图;第二图:将本发明第二晶片之晶圆安装于一研磨台之剖面示图;第三图:利用研磨轮将晶圆研磨至所须厚度之剖面示图;第四图:利用厚切割刀将研磨后晶圆切割,以形成所须之槽沟之剖面示图;第五图:利用薄切割刀将第四图之具槽沟晶圆切割成个别晶粒之剖面示图;第六图:本发明多晶片堆叠封装构造之剖面图;及第七图:本发明多晶片堆叠封装构造沿第六图7-7剖线之剖面图。 |
