| 主权项 |
1.一种接触构造,用以获得与接触目标的电气连接,包括:介电基底;以及使用微加工法成形在该介电基底上的接触件,该接触件具有一水平部,以及一垂直成形于该水平部一端的接触件;当该接触件压向该接触目标时,其中该接触件的水平部产生接触力。2.如申请专利范围第1项的接触构造,进一步包括在该基底上连接到该接触件的连接丝,同时,它的另一端将该接触件电气连接到外部组件。3.如申请专利范围第1项的接触构造,其中该接触件是由金属制成,且是以沈积法在一沈积区沈积而成,沈积区是由微加工工具所提供的电热能量直接成形。4.如申请专利范围第1项的接触构造,其中该接触件进一步包括位于该介电基底及该水平部之间的基部,该基部以一垂直桁支撑该水平部及该接触件的接触部。5.如申请专利范围第1项的接触构造,其中该微加工法是以雷射光束微加工工具进行。6.如申请专利范围第1项的接触构造,其中该微加工法是以电子束微加工工具进行。7.如申请专利范围第1项的接触构造,其中该微加工法是以电浆束微加工工具进行。8.一种接触构造,用以获得与接触目标的电气连接,包括:一矽基底,其上具有连接丝,用以建立与外部组件的电气连接;以及使用微加工法成形在该矽基底上的接触件,该接触件电气连接到该连接丝,它具有一水平部及一垂直成形于该水平部一端的接触件;当该接触件压向该接触目标时,其中该接触件的水平部产生接触力。9.如申请专利范围第8项的接触构造,其中该接触件是由金属制成,且是以沈积法在一沈积区沈积而成,沈积区是由微加工工具所提供的电热能量直接成形。10.如申请专利范围第8项的接触构造,其中该接触件进一步包括位于该介电基底及该水平部之间的基部,该基部以一垂直桁支撑该水平部及该接触件的接触部。11.如申请专利范围第8项的接触构造,其中该微加工法是以雷射光束微加工工具、电子束微加工工具或电浆束微加工工具进行。12.一种接触构造,用以获得与接触目标的电气连接,包括:一介电基底,在其表面具有一凹槽(沟槽);以及使用微制造法成形在该基底上的接触件,该接触件包括具有一固定端及一自由端的水平部,以及固定于该水平部之自由端的接触部,该固定端连接到基底,该自由端位于该基底上之该凹槽的上方;当该接触件压向该接触目标时,该水平桁的该自由端进入该凹槽,其中该接触件的该水平部产生接触力。13.如申请专利范围第12项的接触构造,其中该微制造法是光学制版法或微加工法。14.如申请专利范围第12项的接触构造,其中该接触件及该凹槽是以光学制版法成形在该基底上,该接触件是由金属制成,且是在该基底上成形光罩后以沈积法成形,以及,该凹槽是去除成形在该基底上的牺牲部所产生。15.如申请专利范围第12项的接触构造,其中该接触件是在该基底上重复多次光学制版法所成形,每一次的该光学制版法都包括涂布光阻、遮罩、曝光、剥除光阻及沈积导电材料等步骤。16.如申请专利范围第14项的接触构造,其中在该基底上的该牺牲部是以二氧化矽制成,且在该基底上成形接触件之后去除该牺牲部产生该凹槽。图式简单说明:第一图显示基底操作装置与具有测试头之半导体测试系统间结构关系的概图。第二图显示半导体测试系统之测试头与基底操作装置间连接的详细结构。第三图显示探针卡实例的底视图,环氧树脂的环上装置了复数条悬臂做为探针接触件。第四图A-第四图E是第三图之探针卡的等效电路图。第五图显示以微制造法所制造之本发明之接触构造的概图。第六图A-第六图C显示成形在基底上之本发明之接触构造的构造例概图。第七图A-第七图P显示成形本发明之接触构造之方法的实例概图。第八图A及第八图B显示按照本发明成形在基底上之接触构造的另一例的概图。第九图A-第九图J显示成形第八图A所示本发明之接触构造之方法的实例概图。 |
