| 主权项 |
1.一种制造一用以将光线穿过其中形成干涉图样的相位屏蔽之方法,该方法包括下列步骤:沈积一可固化材料于具有第一表面突起图样之基质上,该可固化之材料经过选择使得该相位屏蔽具有其吸收特征在于具有275至390nm间之波长的光谱线之光线时之吸收性至少一半之穿透性,固化该材料;以及由该基质上去除该材料,以便产生具有与该第一表面突起图样互补之第二表面突起图样。2.如申请专利范围第1项所述之方法,其中该基质为氧化矽。3.如申请专利范围第2项所述之方法,其中该基质为具有其吸收特征在于具有230nm至260nm间之波长的光谱线之光线时之吸收性至少一半之穿透性。4.如申请专利范围第1项所述之方法,其中该基质并非熔凝氧化矽。5.如申请专利范围第1项所述之方法,其中该可固化之材料为一可聚合之材料。6.如申请专利范围第1项所述之方法,其中该可固化之材料为一其可经由冷却而固化的液体。7.如申请专利范围第1项所述之方法,其中该可固化之材料为一其可经由冷却而固化的塑胶。8.如申请专利范围第1项所述之方法,其中该可固化之材料为一经由凝胶过程所形成之玻璃。9.如申请专利范围第8项所述之方法,其中该玻璃为一氧化矽玻璃。10.如申请专利范围第1项所述之方法,其中该可固化之材料在固化前与一光学平板相接触。11.如申请专利范围第1项所述之方法,进一步包括将该表面突起图样包覆反射层。12.一种如申请专利范围第1项之方法所制造的产品。13.一种相位屏蔽,用以将穿过其间之光线形成干涉图样,该屏蔽包括:一非熔凝氧化矽之材料结构,该结构具有其吸收特征为预定光谱线具有特定275nm至390nm之波长范围的光线时之吸收性至少一半的穿透性,该结构界定一空间变化之光学通路,用以产生该干涉图样。14.如申请专利范围第13项所述之相位屏蔽,其中该结构具有空间变化之折射率,而造成该空间变化的通路长度。15.如申请专利范围第13项所述之相位屏蔽,其中该结构具有表面突起图样,其与周界之流体定义空间变化之折射率。16.如申请专利范围第13项所述之相位屏蔽,其中该图样具有平均空间之周期性位在0.2m至2.0m之间。17.如申请专利范围第13项所述之相位屏蔽,其中该材料为聚合物。18.如申请专利范围第13项所述之相位屏蔽,其中该材料为塑胶。19.如申请专利范围第13项所述之相位屏蔽,其中该材料系一包括至少1%重量比例之非氧化矽材料的玻璃。20.如申请专利范围第13项所述之相位屏蔽,具有近紫外线穿透外壳附接于该屏蔽上。21.如申请专利范围第13项所述之相位屏蔽,其中该外壳必需小于300micron的厚度。22.一种安置光栅于光波导中之方法,该光栅当暴露于具有光谱线波长大于275nm特征之光线下时,会改变折射率,该方法包括步骤:配置一相位屏蔽用以于光线穿过其中时产生干涉图样,如此使得该干涉图样延伸通过该光学导波器,该屏蔽具有吸收该光线时之吸收性至少一半的穿透性;以及将该光线传输通过该屏蔽,以便将该光栅安置于该光学导波器中。23.如申请专利范围第22项所述之方法,其中该图样具有0.2m到2.0m之平均空间周期。24.如申请专利范围第22项所述之方法,其中该屏蔽系由聚合物材料所制造。25.如申请专利范围第22项所述之方法,其中该屏蔽系由塑胶材料所制造。26.如申请专利范围第22项所述之方法,其中该屏蔽系由包括至少重量比1%的非氧化矽材料之玻璃所制造。27.如申请专利范围第22项所述之方法,其中该屏蔽系由具有超过重量比0.1%不纯物之氧化矽所制造。28.如申请专利范围第22项所述之方法所制造之光学导波器。29.如申请专利范围第22项所述之方法所制造之光纤。图式简单说明:第一图系根据本发明在一光纤中包括一光栅之系统之概略侧视图。第二图系第一图中该系统之概略端视图。第三图系根据本发明制造与使用一与第一图中系统相关连之相位屏蔽之方法流程图。第四图系以图说表现第三图中的某些步骤。第五图系本发明的另一个实施例,具有成形于光纤包覆中之相位屏蔽。第六图A及第六图B分别系根据本发明之一纤维及于该纤维中用以感应光栅之反射相位屏蔽之概略侧视及端视图。第七图系图说表现利用近紫外光线(实线)及中紫外光线(虚线)感应纤维之状态改变。 |
