| 主权项 |
1.一种薄膜电晶体元件结构,包括:一矽基板;一第一源极/汲极,位于该矽基板上;一第二源极/汲极,位于该矽基板上;一主动层,位于该矽基板之该第一源极/汲极与第二源极/汲极间。一闸极绝缘层,覆盖该第一源极/汲极、第二源极/汲极与主动层;一闸极,位于该闸极绝缘层上;一介电层,位于该闸极绝缘层上并覆盖该闸极;一平坦化层,位于该介电层上;一第一源极/汲极金属导线,位于该平坦化层上方,并连接至下方之第一源极/汲极;一第二源极/汲极金属导线,位于该平坦化层上方,并连接至下方之第二源极/汲极;一保护层,形成于该平坦化层上方并覆盖该第一源极/汲极金属导线与该第二源极/汲极金属导线;以及一导电层,位于该保护层上,并连接至下方之该第一源极/汲极金属导线。2.如申请专利范围第1项所述之薄膜电晶体元件结构,其中该矽基板系多晶矽基板。3.如申请专利范围第1项所述之薄膜电晶体元件结构,其中该矽基板系非结晶矽基板。4.如申请专利范围第1项所述之薄膜电晶体元件结构,更包括:一缓冲层,位于该矽基板与该第一源极/汲极、第二源极/汲极与主动层间。5.如申请专利范围第1项所述之薄膜电晶体元件结构,其中该闸极绝缘层系由矽氧化物所形成。6.如申请专利范围第1项所述之薄膜电晶体元件结构,其中该闸极绝缘层系由矽氮化物所形成。7.如申请专利范围第1项所述之薄膜电晶体元件结构,其中该介电层系将矽氧化物经由电浆化学气相沈积(PECVD)所形成。8.如申请专利范围第1项所述之薄膜电晶体元件结构,其中该平坦化层系由高分子化合物所形成。9.如申请专利范围第1项所述之薄膜电晶体元件结构,其中该导电层系一铟锡氧化物层。10.一种形成薄膜电晶体元件结构之制造方法,包括:提供一矽基板;形成一第一源极/汲极与一第二源极/汲极;形成一闸极绝缘层;形成一闸极;形成一介电层;形成一平坦化层;形成一第一介层洞与一第二介层洞,该第一介层洞与第二介层洞系穿越该平坦化层、介电层至该第一源极/汲极与第二源极/汲极;沈积一金属层,并定义该金属层以形成一第一源极/汲极金属导线与一第二源极/汲极金属导线;形成一保护层;定义一开口,穿越该保护层至该第一源极/汲极金属导线;以及形成一导电层。11.如申请专利范围第10项所述之制造方法,其中该矽基板系多晶矽基板。12.如申请专利范围第10项所述之制造方法,其中该矽基板系非结晶矽基板。13.如申请专利范围第10项所述之制造方法,更包括:形成一缓冲层于该矽基板与该源极/汲极间。14.如申请专利范围第10项所述之制造方法,其中该闸极绝缘层系由矽氧化物所形成。15.如申请专利范围第10项所述之制造方法,其中形成该闸极绝缘层之步骤系将矽氮化物经由电浆化学气相沈积(PECVD)所形成。16.如申请专利范围第10项所述之制造方法,其中形成该平坦化层之步骤系将高分子化合物经由涂布法形成。17.如申请专利范围第16项所述之制造方法,其中该高分子化合物之介电常数约为1.5~3.5。18.如申请专利范围第16项所述之制造方法,其中该高分子化合物为BCB。19.如申请专利范围第16项所述之制造方法,其中该高分子化合物为PC403。20.如申请专利范围第11项所述之制造方法,其中该导电层系一铟锡氧化物层。图式简单说明:第一图绘示液晶显示器面板之等效电路图。第二图绘示传统TFT元件中交叉电容区之结构剖面图。第三图绘示有孔洞形成于传统TFT元件中交叉电容区之结构剖面图。第四图绘示经改良后之传统TFT元件中交叉电容区之结构剖面图。第五图A-第五图C绘示依照本发明一较佳实施例之TFT元件制程之结构剖面图。 |
