| 主权项 |
1.一种互连结构,包含:一凹穴,系连接至一形成于一绝缘膜中之导电材料块上,且其系形成于该绝缘膜中;一障壁金属层,系形成于凹穴之侧壁上;及一金属材料块,系填入凹穴之内部中;其中金属材料块系由一金属反覆复数次填入凹穴内部而构成,且金属材料块与导电材料块系直接相互连接。2.如申请专利范围第1项之互连结构,其中凹穴包括一接触孔、一沟槽、或一沟槽与一形成于沟槽底部之接触孔。3.一种用于一互连结构之制造方法,其包含以下步骤:形成一障壁金属层于一凹穴之内壁上,且凹穴系连接至一形成于一绝缘膜中之导电材料块上,及其系形成于绝缘膜中;藉由去除凹穴底部上形成之障壁金属层,以曝露出凹穴底部处之导电材料块;藉由填充一金属至凹穴内部而形成一金属材料块之一底部;藉由一电解电镀法将一籽晶层自金属材料块之底部份向上形成于凹穴之内壁上;及藉由电解电镀法将金属填入凹穴内部以形成金属材料块之一上部份。4.如申请专利范围第3项之互连结构制造方法,其中金属材料块之底部份系藉由一无电式电镀法形成。5.如申请专利范围第3项之互连结构制造方法,其中凹穴包含一接触孔、一沟槽、或一沟槽与一形成于沟槽底部之接触孔。6.如申请专利范围第4项之互连结构制造方法,其中凹穴包含一接触孔、一沟槽、或一沟槽与一形成于沟槽底部处之接触孔。7.一种用于一互连结构之制造方法,其包含以下步骤:藉由沉积一金属至一凹穴内部以形成一金属材料块之一底部份,且凹穴系连接至一形成于一绝缘膜中之导电材料块上,且其系形成于绝缘膜中;将一障壁金属层自金属材料块之底部份向上形成于凹穴之内壁上;藉由一电解电镀法以形成一籽晶层于凹穴之内壁上;及藉由电解电镀法将金属填入凹穴内部以形成金属材料块之一上部份。8.如申请专利范围第7项之互连结构制造方法,其中金属材料块之底部份系藉由一化学气相沉积(CVD)法形成。9.如申请专利范围第7项之互连结构制造方法,其中凹穴包含一接触孔、一沟槽、或一沟槽与一形成于沟槽底部处之接触孔。10.如申请专利范围第8项之互连结构制造方法,其中凹穴包含一接触孔、一沟槽、或一沟槽与一形成于沟槽底部处之接触孔。图式简单说明:第一图系一结构之剖面示意图,揭示一相关于本发明互连结构之实例;第二图(1)至第二图(6)系各别制造步骤中之结构剖面示意图,揭示一相关于互连结构第一制造方法之实例;第三图(1)至第三图(4)系各别制造步骤中之结构剖面示意图,揭示一相关于互连结构第二制造方法中之实例;及第四图(1)至第四图(3)系各别制造步骤中之结构剖面示意图,揭示一互连结构之相关制造方法。 |
